[发明专利]显示面板和显示装置有效
申请号: | 201711478489.3 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108053798B | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 李文英 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 518132广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明提供一种显示面板和显示装置,显示面板包括阵列基板以及彩膜基板;阵列基板上设置多条数据线、多个平行排列的栅极线组、多个第一薄膜晶体管、多个第二薄膜晶体管、像素电极以及第一公共电极,彩膜基板上设置有第二公共电极,像素电极和第二公共电极形成液晶电容;栅极线组包括第一栅极线和第二栅极线;其中第一薄膜晶体管的栅极与对应的第一栅极线连接,第一薄膜晶体管的源极与对应的第二栅极线连接,第一薄膜晶体管的漏极与第一公共电极连接。该方案通过设置多个第一薄膜晶体管和多条第一栅极线,辅助显示面板进行充电及信号释放的操作,以提高显示面板的显示性能。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示面板的尺寸越来越大,解析度越来越高。液晶显示面板一般由栅极驱动器为TFT(Thin-film transistor,薄膜晶体管)提供开启电压,源驱动器为TFT提供数据信号。当TFT在栅极驱动器的控制下处于开启状态时,源驱动器对子像素充电。
如图1所示,随着液晶显示面板的解析度Res增加,像素的充电时间t变短。比如,FHD解析度的面板在120HZ驱动下,一条栅极线的充电时间约为7.4us;然而,对于4K2K解析度的面板,由于栅极线数目从1080增大到2160,其在120HZ驱动下一条栅极线的充电时间大约降低一半至3.7us。如果不能使像素中的RC负载变小,将使栅极线的扫描速度变慢,进而影响液晶显示面板的显示效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板和显示装置,可以提高显示面板的显示性能。
本发明实施例提供了一种显示面板,其中所述显示面板包括阵列基板以及彩膜基板;所述阵列基板上设置多条数据线、多个平行排列的栅极线组、多个第一薄膜晶体管、多个第二薄膜晶体管、像素电极以及第一公共电极,所述彩膜基板上设置有第二公共电极,所述像素电极和所述第二公共电极形成液晶电容;
所述栅极线组包括第一栅极线和第二栅极线,所述第一栅极线和所述第二栅极线平行设置;
所述数据线与所述第二栅极线交叉限定所述第二薄膜晶体管;
所述第二薄膜晶体管的栅极与对应的第二栅极线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与对应的数据线连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接;
所述第一薄膜晶体管的栅极与对应的第一栅极线连接,所述第一薄膜晶体管的源极与对应的第二栅极线连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与第一公共电极连接;
所述第一薄膜晶体管用于加快所述第二薄膜晶体管的关闭速度。
在本发明所述的显示面板中,所述显示面板还包括栅极驱动器,所述栅极驱动器设置在所述显示面板的双侧边;所述第一薄膜晶体管的源极连接至所述第二栅极线的中间位置。
在本发明所述的显示面板中,所述显示面板还包括栅极驱动器,所述栅极驱动器设置在所述显示面板的单侧边;所述第一薄膜晶体管的源极连接至所述第二栅极线的远离所述栅极驱动器一侧的位置。
在本发明所述的显示面板中,每条所述第二栅极线对应一条所述第一栅极线,所述第一栅极线上所连接的第一薄膜晶体管的数量,与对应的第二栅极线上所述连接的第二薄膜晶体管的数量比为1/5~1/10。
在本发明所述的显示面板中,当第n个栅极线组的第二栅极线输入高电平的开启信号时,所述第一栅极线不输入信号,所述第二薄膜晶体管导通,所述第一薄膜晶体管断开;当第n个栅极线组的第二栅极线输入低电平的关闭信号时,所述第一栅极线输入高电平的开启信号,所述第二薄膜晶体管断开,所述第一薄膜晶体管导通,其中,n为整数。
在本发明所述的显示面板中,所述第一公共电极的电压小于或等于所述第一薄膜晶体管的关闭电压。
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