[发明专利]集成电路溅射用钽靶的制备方法

权利要求书

1.一种集成电路溅射用钽靶的制备方法，其特征在于方法包含如下步骤：

(a)制备钽锭；

(b)将获得的钽锭在锻压设备下开坯拔长，使钽锭内部晶粒初步破碎，根据靶材所需要的尺寸定尺下料，形成钽金属坯料；

(c)将钽金属坯料酸洗后，放入高真空电阻炉中热处理；

(d)将热处理后的钽金属坯料进行镦粗处理；

(e)将镦粗处理后的钽金属坯料酸洗后再次放入高真空电阻炉中热处理；

(f)将再次热处理后的钽金属坯料进行压延轧制，直到达到靶材要求的基本尺寸；

(g)将压延轧制处理后的钽金属坯料再次酸洗后，放入高真空电阻炉中进行最后一次热处理，消除钽金属坯料的内部应力，然后进行坯板校平，板面精加工得到成品靶材。

2.根据权利要求1所述的集成电路溅射用钽靶的制备方法，其特征在于：在步骤(a)中制得的钽锭的直径为200～250mm，纯度大于5N。

3.根据权利要求1所述的集成电路溅射用钽靶的制备方法，其特征在于：在步骤(c)中，高真空电阻炉的真空度控制为10^-3～10^-4pa，温度控制为1000～1400摄氏度，保温时间为120-150分钟。

4.根据权利要求1所述的集成电路溅射用钽靶的制备方法，其特征在于：在步骤(d)中，镦粗处理的锻造压力控制在25000-30000KN，轧制塑性变形量控制在70％-75％。

5.根据权利要求1所述的集成电路溅射用钽靶的制备方法，其特征在于：在步骤(e)中，高真空电阻炉的真空度控制为10^-3～10^-4pa，温度控制为1200～1400摄氏度，保温时间为120-150分钟。

6.根据权利要求1所述的集成电路溅射用钽靶的制备方法，其特征在于：在步骤(f)中，压延轧制通过改变轧制模具的形状及轧制方式细化晶粒，均匀织构；其中，锻造压力控制在25000-30000KN，每一次轧制的塑性变形量控制在15％～20％，总变形量大于65％。

7.根据权利要求1所述的集成电路溅射用钽靶的制备方法，其特征在于：在步骤(g)中，真空度控制为10^-3～10^-4pa，温度控制为800～1000摄氏度，保温时间为90-120分钟。

8.根据权利要求1所述的集成电路溅射用钽靶的制备方法，其特征在于：在步骤(a)中，选择直径为70～100mm的钽锭原料作为原料制备钽锭；其中，钽锭原料的氮杂质含量低于30ppm、氧杂质低于80ppm、碳杂质含量低于30ppm，钍、铀、Y、Li杂质的总含量低于0.0005ppm。