[发明专利]半导体存储器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体存储器结构，其特征在于，所述半导体存储器结构至少包括：半导体基底、位于所述半导体基底上表面的位线隔离层和电容触点，以及位于所述位线隔离层和电容触点上表面的电容器阵列；

所述电容触点与所述位线隔离层之间设置有侧壁隔离层，所述侧壁隔离层中形成有凹槽，所述凹槽的一侧壁包含所述电容触点的侧壁；所述电容触点包括在半导体基底的有源区源漏极上的栓导电层及位于所述栓导电层上的金属栓塞，所述金属栓塞与所述侧壁隔离层具有不同的刻蚀速率；

所述电容器阵列包括复数个第一电容器，所述第一电容器包括第一下电极层、第一电容介质及第一上电极层；其中，

所述第一下电极层具有主体部及由所述主体部的底部延伸的延伸部，所述主体部的底部接合于对应的所述电容触点的上表面，所述延伸部填入至所述凹槽内，且所述延伸部与所述电容触点的侧壁接合；

所述第一电容介质位于所述第一下电极层的内表面及外表面；

所述第一上电极层位于所述第一电容介质的表面。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于：所述第一下电极层的所述主体部的中心轴相对偏移所述电容触点的中心点，所述凹槽位于所述半导体基底上的所述第一下电极层的所述主体部未与所述电容触点叠合的偏移投射区域中。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于：所述延伸部的深度不大于所述金属栓塞的厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器结构，其特征在于：所述延伸部的深度介于5nm~90nm之间。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于：所述半导体基底还包括复数个位线结构，所述位线隔离层覆盖于所述位线结构的上表面和侧壁。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于：所述电容器阵列还包括顶部支撑层、中间支撑层及底部支撑层，所述顶部支撑层位于所述主体部的顶部外围，所述中间支撑层位于所述主体部的中间部位，所述底部支撑层位于所述主体部的底部外围。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于：所述电容器阵列还包括位于所述第一上电极层表面的上电极导电层，所述上电极导电层包括第一导电层和第二导电层；所述第一导电层位于所述第一上电极层表面；所述第二导电层覆盖于所述第一导电层的表面。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器结构，其特征在于：所述第一导电层及所述第二导电层的俯视图形的边缘呈帘幕波浪形。

9.根据权利要求1~8任意一项所述的半导体存储器结构，其特征在于：所述电容器阵列还包括复数个第二电容器，所述第二电容器包括第二下电极层、第二电容介质及第二上电极层；所述第二下电极层接合对应的所述电容触点的上表面，所述第二下电极层的中心轴对准对应的所述电容触点的中心点，所述第二电容介质位于所述第二下电极层内表面及外表面；所述第二上电极层位于所述第二电容介质表面。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器结构，其特征在于：所述第一下电极层接合对应的所述电容触点的面积不小于所述第二下电极层接合对应的所述电容触点的面积的80%。

11.根据权利要求9所述的半导体存储器结构，其特征在于：所述第一电容器和所述第二电容器是位于不同行的间隔排列。