[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201711474080.4 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108110109B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 江汉;王亚伟;周宏敏;徐志军;李政鸿;寻飞林;林兓兓;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32 |
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| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空穴 氮化物层 发光二极管 掺杂 多量子阱结构层 空穴迁移 物理位置 掺杂P型 载子流 引入 | ||
1.一种发光二极管，包括一衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、N型氮化物层、多量子阱结构层和P型氮化物层，其特征在于：所述P型氮化物层至少包括一Mg掺杂氮化物层和一Fe掺杂氮化物层；所述P型氮化物层包括第一P型氮化物层、第二P型氮化物层，第一P型氮化物层或/和第二P型氮化物层至少包括Mg掺杂氮化物层和Fe掺杂氮化物层；所述第一P型氮化物层包括第一Mg掺杂氮化物层、第一FeN层和第一Fe掺杂氮化物层。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第二P型氮化物层包括第二Mg掺杂氮化物层、第二FeN层和第二Fe掺杂氮化物层。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一P型氮化物层包括第一Mg掺杂氮化物层、第一FeN层和第一Fe掺杂氮化物层；所述第二P型氮化物层包括第二Mg掺杂氮化物层、第二FeN层和第二Fe掺杂氮化物层。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述多量子阱结构层与所述第一P型层之间设置有第一电子阻挡层。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一P型氮化物层与所述第二P型氮化物层之间设置有第二电子阻挡层。
6.根据权利要求1或3所述的任意一种发光二极管，其特征在于：所述第一Mg掺杂氮化物层的厚度为100Å~300 Å，Mg杂质浓度为1×1020~1×1021/cm3。
7.根据权利要求1或3所述的任意一种发光二极管，其特征在于：所述第一Fe掺杂氮化物层的厚度为100Å~300 Å，Fe杂质浓度为1×1020~1×1021/cm3。
8.根据权利要求2或3所述的任意一种发光二极管，其特征在于：所述第二Mg掺杂氮化物层的厚度为50Å~200 Å，Mg杂质浓度为1×1020~1×1021/cm3。
9.根据权利要求2或3所述的任意一种发光二极管，其特征在于：所述第二Fe掺杂氮化物层的厚度为50Å~200 Å，Fe杂质浓度为1×1020~1×1021/cm3。
10.根据权利要求5所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第二电子阻挡层与所述第二P型氮化物层之间设置有一u-GaN层。
11.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述多量子阱结构层包括应力释放层和发光层。
12.根据权利要求11所述的一种发光二极管，其特征在于：所述应力释放层的周期数为3~8。
13.据权利要求11所述的一种发光二极管，其特征在于：所述发光层的周期数为3~6。
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