[发明专利]一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法在审
| 申请号： | 201711473980.7 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108277526A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;贺广东;黄嘉丽;王智昊;王琦琨;龚加玮;雷丹;黄毅 | 申请（专利权）人： | 苏州奥趋光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215699 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长区 氮化铝单晶 生长 形核 温差 物理气相传输法 氮化铝 挥发 沉积 逆转 氮化铝晶体 降温过程 降温阶段 升温过程 升温阶段 原料分解 形核点 原料区 同质 | ||
1.一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，物理气相传输法用于将原料区的氮化铝粉料/氮化铝烧结体制成生长区的氮化铝单晶，其特征在于：包括以下步骤：
（1）将氮化铝晶体氮化铝粉料/氮化铝烧结体放入坩埚中，将坩埚放入炉体中，对所述炉体抽真空，接着向所述炉体中通入高纯氮气，保持所述炉体中的氮气气压为60-100Kpa，生长区位于原料区的上方，生长区的温度为T1，原料区的温度为T2，加热所述坩埚，同时对生长区和原料区进行升温，使T1＞T2；
（2）保持所述炉体中的氮气气压为60-100Kpa，当T2升至2000-2400℃时，此时T1＞T2，控制两者之间的温差为30-70℃；保持30-120min；
（3）保持所述炉体中的氮气气压为60-100Kpa，在10-40min的时间内，对生长区进行降温，同时对原料区进行升温，使T2＞T1，控制两者之间的温差为3-15℃；
（4）保持所述炉体中的氮气气压为60-100Kpa，此时，T2＞T1，两者之间的温差为3-15℃，保持2-5h；
（5）抽取所述炉体中的高纯氮气，使所述真空中的氮气气压为30-60Kpa，对生长区进行降温，同时对原料区进行升温，使T2＞T1，控制两者之间的温差为30-70℃；
（6）保持所述炉体中的氮气气压为30-60Kpa，当T1降至2000-2300℃时，此时T2＞T1，控制两者之间的温差为30-70℃，保持10-200h；
（7）保持所述炉体中的氮气气压为30-60Kpa，对生长区进行升温，同时对原料区进行降温，使T1＞T2，控制两者之间的温差为30-70℃；
（8）保持所述炉体中的氮气气压为30-60Kpa，同时对生长区和原料区进行降温，保持T1＞T2，在T2下降至1000℃之前，控制两者之间的温差为30-70℃。
2.根据权利要求1所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，其特征在于：在步骤（1）中，对所述炉体抽真空时，保持所述炉体中的真空度在1*10-3 Pa以下。
3.根据权利要求1所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，其特征在于：在步骤（5）中，在10-40min的时间内，对生长区进行降温，同时对原料区进行升温，使T2＞T1，控制两者之间的温差为30-70℃。
4.根据权利要求1所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，其特征在于：在步骤（7）中，在30-90min的时间内，对生长区进行升温，同时对原料区进行降温，使T1＞T2，控制两者之间的温差为30-70℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州奥趋光电技术有限公司，未经苏州奥趋光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711473980.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
