[发明专利]一种消除晶圆翘曲的方法及复合衬底在审
| 申请号： | 201711473791.X | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108183065A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 何钧 | 申请（专利权）人： | 北京品捷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京志霖律师事务所 11575 | 代理人： | 张文祎 |
| 地址： | 101302 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 应力补偿膜 衬底 翘曲 复合 抵消 晶圆翘曲 碳化硅基 氮化镓 碳化硅 沉积 硅基 背面 晶圆背面 平整 覆盖 | ||
1.一种消除晶圆翘曲的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：选取一翘曲的晶圆(1)；
S2：在所述晶圆(1)的背面沉积一层内部具有应力的应力补偿膜(2)，使得所述应力补偿膜(2)的内部应力与所述晶圆(1)的内部应力相互抵消，得到平整的复合衬底；
所述晶圆(1)为碳化硅基碳化硅晶圆或硅基氮化镓晶圆。
2.根据权利要求1所述的消除晶圆翘曲的方法，其特征在于，当所述晶圆(1)为碳化硅基碳化硅晶圆时，所述方法还包括如下步骤：
S3：在所述应力补偿膜(2)的背面沉积一层内部无应力的辅助膜(3)。
3.根据权利要求1或2所述的消除晶圆翘曲的方法，其特征在于，通过调整沉积所述应力补偿膜(2)的气压、温度、成分比例、沉积速率调控其内部应力的类型和大小。
4.根据权利要求1或2所述的消除晶圆翘曲的方法，其特征在于，所述应力补偿膜(2)的材质为氧化硅、氮化硅或金属。
5.根据权利要求1或2所述的消除晶圆翘曲的方法，其特征在于，所述应力补偿膜(2)的内部应力为压应力、无应力或张应力。
6.一种复合衬底，其特征在于，包括一晶圆(1)和一应力补偿膜(2)，所述应力补偿膜(2)覆盖于所述晶圆(1)的背面，且所述应力补偿膜(2)的内部应力与所述晶圆(1)的内部应力相互抵消；所述晶圆(1)为碳化硅基碳化硅晶圆或硅基氮化镓晶圆。
7.根据权利要求6所述的复合衬底，其特征在于，当所述晶圆(1)为碳化硅基碳化硅晶圆时，所述复合衬底还包括一内部无应力的辅助膜(3)，且所述辅助膜(3)覆盖于所述应力补偿膜(2)的背面。
8.根据权利要求6或7所述的复合衬底，其特征在于，所述应力补偿膜(2)的材质为氧化硅、氮化硅或金属。
9.根据权利要求6或7所述的复合衬底，其特征在于，所述应力补偿膜(2)的内部应力为压应力、无应力或张应力。
10.根据权利要求7所述的碳化硅复合衬底，其特征在于，所述辅助膜(3)的材质为氧化硅、氮化硅、金属、TEOS或半导体用玻璃；所述半导体用玻璃为SOG或CVD制备的玻璃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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