[发明专利]防止LDO的功率管关闭时产生振荡的系统

权利要求书

1.一种防止LDO的功率管关闭时产生振荡的系统，其特征在于，所述系统包括一控制电路，所述控制电路接收到关闭使能信号后，对功率管进行单独关闭控制；

所述控制电路自动检测功率管的栅极电压，执行缓冲放电直至所述功率管的栅极电压拉升至电源电压，其中，

所述控制电路的电路包括：第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管，第五NMOS管，第六NMOS管，第七NMOS管，第八NMOS管，第九NMOS管，第十NMOS管，第十一NMOS管，第十二NMOS管，第一PMOS管，第二PMOS管，第三PMOS管，第四PMOS管，第五PMOS管，第六PMOS管，第七PMOS管，第一反相器，第二反相器，一电阻，第一偏置电压源，第二偏置电压源；其中，

所述电阻的一端、所述第七PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极均与电源连接；

所述电阻的另一端与第一PMOS管的源极连接；

所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接且共同与第四PMOS管的漏极、所述功率管的栅极、所述第五PMOS管的漏极、所述第三NMOS管的漏极、所述第五PMOS管的漏极相连；

所述第一PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的漏极、所述第七PMOS管的漏极共同连接至所述第一反相器的输入端；

所述第一反相器的输出端与第二反相器的输入端、第六PMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极连接；

所述第二反相器的输出端与所述第二PMOS管的栅极连接；

所述第二PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极连接；所述第四PMOS管的栅极接地；所述第三PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的源极连接；

所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极连接第六NMOS管的漏极；所述第六NMOS管的源极接地；所述第六NMOS管的栅极与所述第十一NMOS管的漏极、所述第七NMOS管的栅极、所述第八NMOS管的栅极、所述第八NMOS管的漏极共同连接至第一偏置电压源；

所述第五NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极所述第十NMOS管的漏极相连；所述第十NMOS管的漏极与所述第十NMOS管的栅极、所述第十二NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极相连接；

所述第三NMOS管的源极与所述第九NMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的源极接地；

所述第六PMOS管的源极连接第二偏置电压源；所述第六PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极连接；

所述第六NMOS管的源极、所述第十一NMOS管的源极、所述第七NMOS管的源极、所述第八NMOS管的源极、所述第十二NMOS管的源极、所述第十NMOS管的源极均接地；

所述第七PMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极、所述第三NMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极均连接至第一节点(ENH)；所述第三PMOS管的栅极、所述第十一NMOS管的栅极、所述第十二NMOS管的栅极均连接至第二节点(ENL)。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，当所述控制电路自动检测到功率管的栅极电压与源极电压差的绝对值高于功率管的预先设定的切换电压时，则进行快速放电，将功率管的栅极电压迅速拉高到阈值附近；当所述控制电路自动检测到功率管的栅极电压与源极电压差的绝对值等于或低于或接近所述功率管的预先设定的切换电压时，所述控制电路执行缓冲放电直至所述功率管的栅极电压拉升到电源电压；其中，预先设定的切换电压为所述功率管的栅极电压开启值。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括一使能信号器，所述使能信号器与所述控制电路的一端相连接，所述控制电路的另一端与所述功率管的栅极相连接，从而使所述使能信号器发送的使能信号通过所述控制电路之后再到达所述功率管的栅极。

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述控制电路具有等效RC放电通路，通过所述等效RC放电通路来实现缓冲放电。