[发明专利]一种三氯化硼纯化装置在审
申请号: | 201711473021.5 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108163868A | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 王绍峻;梁永强;于青玉 | 申请(专利权)人: | 和立气体(上海)有限公司 |
主分类号: | C01B35/06 | 分类号: | C01B35/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201508 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三氯化硼 吸附器 中间罐 二级精馏塔 一级精馏塔 纯化装置 双路并联 脱除器 废液排出口 工艺步骤 依次连接 蒸馏 冷凝 产品罐 废液罐 冷凝器 冷热盘 成套设备 钢瓶 管夹 罐体 吸附 残留 外围 芯片 分解 | ||
本发明公开了一种三氯化硼纯化装置,属于三氯化硼纯化技术领域。它包括依次连接的原料钢瓶、一级吸附器、反应脱除器、二级吸附器、中间罐、一级精馏塔、二级精馏塔、冷凝器、产品罐,所述一级吸附器为双路并联结构,所述反应脱除器为双路并联结构,所述中间罐的罐体外围安装有冷热盘管夹套,所述中间罐、一级精馏塔、二级精馏塔的残留废液排出口连接有废液罐。通过以上成套设备和工艺步骤逐步吸附、分解、反应、蒸馏、冷凝,能够使得三氯化硼原料中的有害杂质降低到0.5ppm以下,完全满足LED行业及芯片行业的要求。
技术领域
本发明涉及一种三氯化硼纯化装置,属于三氯化硼纯化技术领域。
背景技术
高纯三氯化硼作为干式蚀刻气体广泛用于LED行业、电子芯片行业,通常需要三氯化硼中的有害杂质小于1ppm。在传统三氯化硼BCl3的纯化过程中,其中Cl2、HCl、COCl2、SiCl4会溶解在BCl3的液相中,形成共沸混合物,采用精馏的传统工艺无法脱除至1ppm。由于介质都是酸性物质,而常规的分子筛都为偏碱性物质,常规分子筛也会对BCl3产生很大的吸附作用,所以常规分子筛很难脱除HCl、Cl2、SiCl4等成分。为了使三氯化硼原料中的有害杂质小于0.5ppm,完全满足LED行业及芯片行业的要求,需要设计一种高纯度三氯化硼纯化装置。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于:提供一种三氯化硼纯化装置,它解决了使用传统方法对三氯化硼进行纯化,纯化程度有待提高的问题。
本发明所要解决的技术问题采取以下技术方案来实现:
一种三氯化硼纯化装置,它包括依次连接的原料钢瓶、一级吸附器、反应脱除器、二级吸附器、中间罐、一级精馏塔、二级精馏塔、冷凝器、产品罐,所述一级吸附器为双路并联结构,所述反应脱除器为双路并联结构,所述中间罐的罐体外围安装有冷热盘管夹套,所述中间罐、一级精馏塔、二级精馏塔的残留废液排出口连接有废液罐。
作为优选实例,所述一级吸附器内的固体吸附剂为球形活性炭吸附剂。
作为优选实例,所述一级吸附器为双路并联结构,每路一级吸附器两端均设有阀门,通过阀门控制一路连通进行吸附,另一路关闭对吸附剂进行活化处理,两路定时切换。
作为优选实例,所述反应脱除器为双层结构,第一层为高温分解层,第二层为添加碳化硼的反应层。
作为优选实例,所述反应脱除器的碳化硼装填在蒙耐尔合金的圆盘状笼内。
作为优选实例,所述二级吸附器内部填充四层填料,从进气口到出气口依次为活性炭层、改性的沸石3A分子筛层、改性的沸石5A分子筛层、改性的沸石13X分子筛层。
作为优选实例,所述产品罐带夹套加热装置和盘管制冷装置。
本发明的有益效果是:
(1)一级吸附器采用双路并联结构,一路连通进行吸附,另一路关闭对吸附剂进行活化处理,两路定时切换,既能够保持优秀的吸附效果,又提高了吸附效率;
(2)经过一级吸附器吸附后,进入在反应脱除器中,第一层利用COCl2在高温时的分解反应,使微量的COCl2变成CO和Cl2,CO将在一级精馏塔中被脱除,第二层利用Cl2与B4C反应,把颗粒状的B4C装填进蒙耐尔合金制作的圆盘状的笼中,以增加气体接触面积,生成BCl3和C,脱除Cl2,该反应脱除器的设计可有效利用一级反应器的热量,使得总能耗降低;
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