[发明专利]具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法

权利要求书

1.一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜；

在已溅射金属保护膜的所述小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对所述小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理；

对激光去膜处理后的所述小型石英晶片进行晶片腐蚀处理；

对晶片腐蚀处理后的所述小型石英晶片进行金属腐蚀处理，以去除金属保护膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜的步骤包括：

将初始的小型石英晶片放置在真空溅射工装内；

使用真空溅射机对所述小型石英晶片的两个表面分别溅射一层金属保护膜；

将已溅射金属保护膜的所述小型石英晶片从所述真空溅射工装内取出。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在已溅射金属保护膜的所述小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对所述小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理的步骤包括：

将已溅射金属保护膜的所述小型石英晶片放置在激光工装内；

在所述小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，使用激光对所述小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，使所述小型石英晶片的指定位置无金属保护膜；

将激光去膜处理后的所述小型石英晶片从所述激光工装内取出。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对激光去膜处理后的所述小型石英晶片进行晶片腐蚀处理的步骤包括：

将激光去膜处理后的所述小型石英晶片放入装有石英晶体腐蚀液的腐蚀槽内，间隔预置第一时间后取出。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对晶片腐蚀处理后的所述小型石英晶片进行金属腐蚀处理的步骤包括：

将晶片腐蚀处理后的所述小型石英晶片放置在装有金属腐蚀液的腐蚀槽中，间隔预置第二时间后取出。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在对所述小型石英晶片进行晶片腐蚀处理之后，对所述小型石英晶片进行清洗。

7.根据权利要求1至5任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在对所述小型石英晶片进行金属腐蚀处理之后，对所述小型石英晶片进行清洗。

8.根据权利要求1至5任意一项所述的方法，其特征在于，在对所述小型石英晶片进行晶片腐蚀处理及金属腐蚀处理时，所述小型石英晶片放置在腐蚀篮中。

9.根据权利要求1至5任意一项所述的方法，其特征在于，所述指定位置为所述小型石英晶片的两端或者四边。