[发明专利]半导体器件及其操作方法有效
申请号: | 201711470874.3 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108322065B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 野见山贵弘;文诚佑;高裕锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
比较器,所述比较器将第一电压与整流电压进行比较,并且根据所述比较提供第二电压;
定时器电路,所述定时器电路根据所述第二电压来操作定时器,并与所述定时器的操作时间相对应地输出第三电压;
驱动器,所述驱动器根据所述第三电压用所述驱动器产生的第四电压驱动晶体管;以及
校准电路,所述校准电路基于所述第二电压和所述第四电压来产生定时器校准信号,所述定时器校准信号被提供给所述定时器电路并用于对所述定时器的操作时间进行校准,
其中,所述校准电路在所述第四电压变化之后在判断时间窗口期间监测所述第二电压以进行校准,所述判断时间窗口基于内部定时器,当所述第二电压在所述判断时间窗口的时间段内从第一电平转变为第二电平时,所述校准电路抑制向所述定时器电路提供所述定时器校准信号;
当所述第二电压在所述判断时间窗口的时间段内保持在所述第一电平时,所述校准电路向所述定时器电路提供用于延长所述定时器的操作时间的定时器校准信号;并且
当所述第二电压在所述判断时间窗口的时间段内保持在所述第二电平时,所述校准电路向所述定时器电路提供用于缩短所述定时器的操作时间的定时器校准信号。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述校准电路响应于所述第四电压的变化而产生判断时间窗口。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中所述校准电路在所述判断时间窗口的时间段期间监测所述第二电压,并且基于所述监测的结果来产生所述定时器校准信号。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中在所述晶体管的源极处提供所述第一电压,并且将所述第四电压提供到所述晶体管的栅极。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括保护电路,当产生从所述整流电压所在的节点到所述第一电压所在的节点的反向电流时,所述保护电路产生用于停止所述定时器操作的定时器停止信号,并向所述定时器电路提供所述定时器停止信号。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中所述比较器是第一比较器,并且所述保护电路包括:
第二比较器,所述第二比较器确定所述整流电压的电平与所述第一电压之差是否超过偏移电压,并且响应于所述确定来提供确定电压;以及
逻辑门,所述逻辑门通过对所述第四电压和所述确定电压执行逻辑运算来产生所述定时器停止信号。
7.根据权利要求5所述的半导体器件,其中所述定时器电路根据所述定时器停止信号停止所述定时器的操作,并且所述驱动器关断所述晶体管。
8.一种半导体器件,包括:
比较器,所述比较器将第一节点的电压电平与整流电压的电压电平进行比较,并根据所述比较来控制第二节点的电压电平;
定时器电路,所述定时器电路根据所述第二节点的电压电平来操作定时器,并且与所述定时器操作相对应地控制第三节点的电压电平;
驱动器,所述驱动器通过根据所述第三节点的电压电平控制第四节点的电压电平来驱动晶体管;以及
保护电路,所述保护电路监测在所述整流电压所在的节点与所述第一节点之间流动的电流,并且当产生反向电流时产生定时器停止信号,所述定时器停止信号被提供给所述定时器电路以停止所述定时器的操作。
9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中所述比较器是第一比较器,并且所述保护电路包括:
第二比较器,所述第二比较器确定所述整流电压的电平与所述第一节点的电压电平之差否超过偏移电压,并且根据所述确定在第五节点处提供确定电压;以及
逻辑门,所述逻辑门通过对所述确定电压和所述第四节点的电压电平执行逻辑运算来产生所述定时器停止信号。
10.根据权利要求8所述的半导体器件,其中所述定时器电路根据所述定时器停止信号停止所述定时器的操作,并且所述驱动器关断所述晶体管。
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