[发明专利]一种MWT光伏太阳能组件的导电芯板破损后修复方法在审
申请号: | 201711470226.8 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108598209A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 陈晓辉;孙明亮;吴仕梁;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 南京日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 李玉平 |
地址: | 211800 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电芯板 导电箔 修复 光伏太阳能组件 胶带 破损 技术要求 胶带粘贴 接触电阻 双向导通 断裂处 断裂的 撕裂口 原有的 测试 应用 恢复 生产 | ||
本发明公开了一种MWT光伏太阳能组件的导电芯板破损后修复方法,对于导电箔断裂的导电芯板,使用导电箔胶带粘贴在撕裂口处,使其断裂处恢复至原有的技术要求。该导电箔胶带实现了双面双向导通,从而方便生产人员在实际修复导电箔过程中的应用。经过测试用该导电箔胶带修复后的导电芯板接触电阻略大于正常的A类导电芯板。
技术领域
本发明涉及一种MWT光伏太阳能组件的导电芯板破损后修复方法,属于MWT太阳能电池组件应用技术领域。
背景技术
目前量产的MWT组件导电芯板在实际生产过程中,由于激光刻线设备不稳定、人员撕线操作手法不当或新员工操作手法不熟练会出现导电芯板撕损,导致导电出现撕损报废现象,影响导电芯板成品率以及整体产能,而且造成不必要的资源浪费。
为解决导电芯板撕损造成的资源浪费,本发明提供一种适用于导电芯板撕件工序撕损造成的不良及报废的修复方法,其目的在于降低导电芯板制程因撕损导致报废,从而降低生产成本,提高导电箔的成品率,为企业节约不必要的资源浪费。
发明内容
发明目的:本发明提供一种MWT光伏太阳能组件的导电芯板破损后修复方法。旨在解决导电芯板因制程撕损导致光伏组件里包含的电池片元件电极点无连接元件造成的电流不均、电极点缺失,从而导致组件的整体功率下降的问题。以及克服现有导电芯板制程报废率高的缺陷;本发明的方法降低了生产成本,减少人力、原材料等资源的浪费。
技术方案:一种MWT光伏太阳能组件的导电芯板破损后修复方法,对于导电箔断裂的导电芯板,使用导电箔胶带粘贴在撕裂口处,使其断裂处恢复至原有的技术要求。
所述导电箔胶带为双向导电的金属导电胶带。
该导电箔胶带实现了双面双向导通,从而方便生产人员在实际修复导电箔过程中的应用。经过测试用该导电箔胶带修复后的导电芯板接触电阻略大于正常的A类导电芯板。
所述粘贴在撕裂口处的导电箔胶带的宽度小于或等于撕裂口的长度。
所述撕裂口宽度方向的两端的导电箔胶带长度相等,且等于撕裂口宽度。
所述撕裂口宽度方向的两端的导电箔胶带长度相等,且位于撕裂口宽度两侧的导电箔胶带长度均为10±1mm。
有益效果:与现有技术相比,本发明所提供的MWT光伏太阳能组件的导电芯板破损后修复方法,具有如下优点:
(1)作业简单、易学、易懂,且不影响产能。
(2)提高导电箔成品率,提高产能。降低生产成本,节约原材料、人工等资源。
(3)导电箔胶带属于金属导电胶带,而且实现双向导电。
附图说明
图1为本发明实施例的导电箔断裂状态示意图;
图2为本发明实施例使用导电箔胶带粘贴在撕裂口处的状态示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
一种MWT光伏太阳能组件的导电芯板破损后修复方法,如图1所示,导电芯板在生产过程中出现破损或者撕损后,存在撕裂口1,如图2所示,使用双向导电的金属导电箔胶带2粘贴在撕裂口1处,导电箔胶带2的宽度等于或者略小于撕裂口1长度;导电箔胶带2的长度(a+2b)为撕裂口1宽度a加上20mm,撕裂口1宽度a方向两端的导电箔胶带2长度相等,位于撕裂口1宽度a两侧的导电箔胶带长度b均为10mm,粘贴操作时要使导电箔胶带2平均粘贴分布在撕裂口1两侧,从而使破损处恢复到原有的技术要求,避免后续生产出现电流不均、电极点缺失等不良,影响MWT光伏组件的整体效率。从而符合公司工艺、质量以及满足客户生产技术要求。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的