[发明专利]MEMS组件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造MEMS组件的方法，包括：

在传感器芯片上形成凹槽；

在器件芯片上形成焊盘；

将所述传感器芯片与所述器件芯片键合，以形成键合组件；

在所述传感器芯片的第一位置执行第一划片，以穿透所述传感器芯片到达所述凹槽；以及

在所述传感器芯片的第二位置执行第二划片，以穿透所述传感器芯片和所述器件芯片，将所述键合组件分离成单个MEMS组件，

其中，所述凹槽与所述焊盘的位置相对应，并且在所述第二划片的同时，在所述传感器芯片中形成开口，以暴露所述焊盘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述凹槽的横向尺寸大于所述焊盘的横向尺寸。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述焊盘包括彼此相对的第一边缘和第二边缘，所述凹槽的边缘距离所述第一边缘和所述第二边缘大于等于20微米。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一划片的第一位置距离所述第一边缘的垂直距离大于等于20微米，所述第二划片的第二位置距离所述第二边缘的垂直距离大于等于20微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述凹槽的深度为50微米至100微米。

6.根据权利要求1所述的方法，在所述第一划片之前，还包括对所述传感器芯片的第一衬底和所述器件芯片的第二衬底至少之一进行减薄，使得所述键合组件的厚度之和为400微米至500微米。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述传感器芯片还包括传感器，所述键合步骤形成用于容纳所述传感器的封闭空腔。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述键合包括硅-玻璃静电键合、硅-硅直接键合、金属热压键合或和金属焊料键合中的任意一种。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述键合为铝锗共晶键合。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一划片和所述第二划片包括采用划片刀进行机械划片，或者采用激光束进行激光划片。

11.根据权利要求1所述的方法，在所述第二划片的步骤之后，还包括，在所述焊盘上焊接引线，所述焊盘与所述开口的侧壁邻接。

12.一种MEMS组件，包括：

传感器芯片，包括位于其第一表面上的第一键合层，以及穿透所述传感器芯片的开口；以及

器件芯片，包括位于其第一表面上的第二键合层和焊盘，

其中，所述第一键合层与所述第二键合层彼此接触且键合，所述开口暴露所述焊盘。

13.根据权利要求12所述的MEMS组件，其中，所述凹槽的横向尺寸大于所述焊盘的横向尺寸。

14.根据权利要求13所述的MEMS组件，其中，所述焊盘包括彼此相对的第一边缘和第二边缘，所述凹槽的边缘距离所述第一边缘和所述第二边缘大于等于20微米。

15.根据权利要求14所述的MEMS组件，其中，所述第一划片的第一位置距离所述第一边缘的垂直距离大于等于20微米，所述第二划片的第二位置距离所述第二边缘的垂直距离大于等于20微米。

16.根据权利要求13所述的MEMS组件，其中，所述凹槽的深度为50微米至100微米。

17.根据权利要求13所述的MEMS组件，其中，所述MEMS组件的厚度之和为400微米至500微米。