[发明专利]一种预防对位偏移的凸点结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711469126.3 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108281374A 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 张永新 申请(专利权)人: 苏州通富超威半导体有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/56
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 姚姣阳
地址: 215021 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 凹型 凸点 基底 柱体 对位偏移 金属凸点 凸点结构 芯片 钝化层 基板 制备 凹型圆弧 基板对位 焊接层 回流焊 精准度 偏移 导电 贴装 卡住 预防 镶嵌 保证
【权利要求书】:

1.一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,

包括基板,其具有衬于底部导电的基底,和钝化层,其设置于基底上沿,且具有镶嵌于所述钝化层上的金属凸点;

所述金属凸点包括柱体和凹型头部,所述柱体的底部通过焊接层与所述基底相连,其顶部连接所述凹型头部,所述凹型头部的凹型圆弧直径小于柱体的截面直径。

2.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述柱体的截面为圆柱形或T形。

3.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述凹型头部的圆弧直径大于相对应的芯片凸点的直径,所述凹型头部的圆弧弧长为l=120/180*·πr,r为凹型头部的圆弧半径,单位为um。

4.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述柱体的材料为铜或铜合金。

5.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述焊接层位于所述柱体和所述基底之间,其镶嵌于所述钝化层内。

6.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述基板的材料为玻璃、硅或有机材料。

7.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述钝化层的材料为聚酰亚胺。

8.一种预防对位偏移的凸点结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤,

S1、选择基板;

S2、在基板的上表面覆盖钝化层并镶嵌焊接层,所述焊接层的边缘覆盖焊接层,使其形成窗口以露出焊接层;

S3、通过电镀方式将头部为球形的金属凸点的柱体底部焊接于焊接层上;

S4、将截面为半圆形的压模对准球形头部,通过冲压的方法在球形头部上形成凹型的压痕,制作出凹型头部。

9.根据权利要求8所述的一种预防对位偏移的凸点结构的制备方法,其特征在于,所述截面为半圆形的压模的直径小于球形头部的直径。

10.根据权利要求8所述的一种预防对位偏移的凸点结构的制备方法,其特征在于,所述柱体为铜或铜合金柱体,其截面为圆柱形或T形,所述凹型头部的圆弧直径大于相对应的芯片凸点的直径,所述凹型头部的圆弧弧长为l=120/180*•πr,r为凹型头部的圆弧半径,单位为um,所所述焊接层位于所述柱体和所述基底之间,其镶嵌于所述钝化层内,所述基板为玻璃、硅或有机材料的基板,所述钝化层为聚酰亚胺材料的钝化层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州通富超威半导体有限公司,未经苏州通富超威半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711469126.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top