[发明专利]一种预防对位偏移的凸点结构及其制备方法在审
| 申请号: | 201711469126.3 | 申请日: | 2017-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN108281374A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
| 发明(设计)人: | 张永新 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/56 |
| 代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 姚姣阳 |
| 地址: | 215021 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 凹型 凸点 基底 柱体 对位偏移 金属凸点 凸点结构 芯片 钝化层 基板 制备 凹型圆弧 基板对位 焊接层 回流焊 精准度 偏移 导电 贴装 卡住 预防 镶嵌 保证 | ||
1.一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,
包括基板,其具有衬于底部导电的基底,和钝化层,其设置于基底上沿,且具有镶嵌于所述钝化层上的金属凸点;
所述金属凸点包括柱体和凹型头部,所述柱体的底部通过焊接层与所述基底相连,其顶部连接所述凹型头部,所述凹型头部的凹型圆弧直径小于柱体的截面直径。
2.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述柱体的截面为圆柱形或T形。
3.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述凹型头部的圆弧直径大于相对应的芯片凸点的直径,所述凹型头部的圆弧弧长为l=120/180*·πr,r为凹型头部的圆弧半径,单位为um。
4.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述柱体的材料为铜或铜合金。
5.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述焊接层位于所述柱体和所述基底之间,其镶嵌于所述钝化层内。
6.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述基板的材料为玻璃、硅或有机材料。
7.根据权利要求1所述的一种预防对位偏移的凸点结构,其特征在于,所述钝化层的材料为聚酰亚胺。
8.一种预防对位偏移的凸点结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤,
S1、选择基板;
S2、在基板的上表面覆盖钝化层并镶嵌焊接层,所述焊接层的边缘覆盖焊接层,使其形成窗口以露出焊接层;
S3、通过电镀方式将头部为球形的金属凸点的柱体底部焊接于焊接层上;
S4、将截面为半圆形的压模对准球形头部,通过冲压的方法在球形头部上形成凹型的压痕,制作出凹型头部。
9.根据权利要求8所述的一种预防对位偏移的凸点结构的制备方法,其特征在于,所述截面为半圆形的压模的直径小于球形头部的直径。
10.根据权利要求8所述的一种预防对位偏移的凸点结构的制备方法,其特征在于,所述柱体为铜或铜合金柱体,其截面为圆柱形或T形,所述凹型头部的圆弧直径大于相对应的芯片凸点的直径,所述凹型头部的圆弧弧长为l=120/180*•πr,r为凹型头部的圆弧半径,单位为um,所所述焊接层位于所述柱体和所述基底之间,其镶嵌于所述钝化层内,所述基板为玻璃、硅或有机材料的基板,所述钝化层为聚酰亚胺材料的钝化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





