[发明专利]具有在栅极流道层之下的源极场板的晶体管

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

具有沟道区域的半导体衬底；

接触所述半导体衬底的表面的源极接触层；

在所述沟道区域上方的栅极层；

源极场板，所述源极场板在所述栅极层上方限定开口；以及

在所述源极场板上方的栅极流道层，所述栅极流道层通过所述开口接近所述栅极层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极场板沿着所述沟道区域的第一维度并且在所述栅极层上方从所述源极接触层延伸，并且所述栅极流道层沿着所述沟道区域的偏离所述第一维度的第二维度延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一维度垂直于所述第二维度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极接触层和所述源极场板共用具有比所述栅极流道层更高的电阻率的公共金属层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述公共金属层包含铝铜钛合金。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体衬底包含由所述源极接触层接触的氮化镓层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极层包含钛钨材料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其还包括：

源极流道层，其与所述栅极流道层共面并与所述栅极流道层共同延伸，所述源极流道层接触所述源极接触层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其还包含：

第二源极场板，所述第二源极场板在所述栅极流道层上方沿着第一维度比所述源极场板更远离所述源极接触层延伸。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其还包含：

将所述源极场板与所述栅极层分离的绝缘层。

11.一种半导体器件，其包括：

具有沟道区域的半导体衬底；

接触所述半导体衬底的表面的源极接触层；

在所述沟道区域上方的栅极层；

限定用于接近所述栅极层的开口的源极场板；

在所述源极场板上方的栅极流道层，所述栅极流道层通过所述开口接近所述栅极层；以及

与所述栅极流道层共面并与所述栅极流道层共同延伸的源极流道层，所述源极流道层接触所述源极接触层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述源极接触层和所述源极场板共用具有比所述栅极流道层更高的电阻率的公共金属层。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述公共金属层包括铝-铜-钛合金。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述半导体衬底包含由所述源极接触层接触的氮化镓层。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述栅极层包含钛钨材料。

16.根据权利要求11所述的半导体器件，其还包括：

与所述栅极流道层共面并与所述栅极流道层共同延伸的漏极流道层，所述漏极流道层接触漏极接触层。

17.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：

所述源极场板沿着所述沟道区域的第一维度并且在所述栅极层上方从所述源极接触层延伸；以及

所述栅极流道层沿着所述沟道区域的偏离于所述第一维度的第二维度延伸。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中所述第一维度垂直于所述第二维度。