[发明专利]发光二极管芯片的封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201711467868.2 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN109994593A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 蔡奇风;陈彦亨;林正忠;吴政达 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/48
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管芯片 金属引线 封装 封装材料 焊盘 封装结构 电性 基底 凸点下金属层 扇出型封装 荧光材料层 金属凸块 耐用性能 散热效果 向上延伸 引线结构 透明 装设 芯片 覆盖
【说明书】:

发明提供一种发光二极管芯片的封装结构及封装方法,包括:透明基底,具有引出焊盘;金属引线,连接于引出焊盘上,金属引线向上延伸;发光二极管芯片,装设于引出焊盘上,以实现发光二极管芯片的电性引出;荧光材料层,位于发光二极管芯片与透明基底之间;封装材料,覆盖于发光二极管芯片,且金属引线露出于封装材料;以及凸点下金属层及金属凸块,形成于封装材料上,以实现金属引线的电性引出。本发明的发光二极管芯片创新的采用扇出型封装结构,封装密度高,可有效降低封装体积。本发明具有良好的散热效果,可大大提高了芯片的耐用性能及寿命。本发明的引线结构简约,可有效缩短线路的长度。

技术领域

本发明属于半导体封装领域,特别是涉及一种发光二极管芯片的封装结构及封装方法。

背景技术

随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高,以及新型的集成电路出现,封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色,在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时,随着集成电路特征尺寸达到纳米级,晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展,封装也向更高密度的方向发展。

由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点,以及具有更好的性能和更高的能源效率,扇出晶圆级封装(fowlp)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法,是目前最具发展前景的封装技术之一。

当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下,节约能源是我们未来面临的重要的问题,在照明领域,LED发光产品的应用正吸引着世人的目光,LED作为一种新型的绿色光源产品,必然是未来发展的趋势,二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。

LED被称为第四代照明光源或绿色光源,具有节能、环保、寿命长、体积小等特点,可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。

现有的发光二极管芯片的封装通常包括正装封装及倒装封装。现有的正装封装和倒装封装结构通常需要将发光二极管芯片固定于一基底上,所述基底需要实现发光二极管芯片的电性引出。然而,这种基底厚度较大,散热效率不是很理想,发光二极管芯片由于热积累导致可靠性及寿命的降低,并且,封装结构的体积较为庞大,封装引线的线路较长,且容易产生断路等问题。

基于以上所述,提供一种可有效提高发光二极管芯片散热,较小封装体积,且有效缩短引线线路长度的封装结构及封装方法实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种发光二极管芯片的封装结构及封装方法,用于解决现有技术中发光二极管芯片的封装体积较大、散热效果差以及引线线路过长等问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种发光二极管芯片的封装结构,所述封装结构包括:透明基底,所述透明基底上具有引出焊盘;金属引线,连接于所述引出焊盘上,所述金属引线向上延伸;发光二极管芯片,装设于所述引出焊盘上,以实现所述发光二极管芯片的电性引出;荧光材料层,位于所述发光二极管芯片与所述透明基底之间;封装材料,覆盖于所述发光二极管芯片,且所述金属引线露出于所述封装材料;以及凸点下金属层及金属凸块,形成于所述封装材料上,以实现所述金属引线的电性引出。

优选地,所述荧光材料层的面积不小于所述发光二极管的出光区域的面积。

优选地,所述发光二极管芯片的出光面与所述荧光材料紧密相接。

优选地,所述金属引线的材料包括Au及Cu中的一种。

优选地,所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

优选地,所述凸点下金属层及金属凸块包括:介质层,形成于所述封装材料表面,所述介质层中形成有显露所述金属引线的开孔;凸点下金属层,制作于所述开孔中,所述凸点下金属层与所述金属引线电性连接;金属凸块,形成于所述凸点下金属层表面。

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