[发明专利]晶片接合结构、晶片接合方法、晶片剥离方法及装置

权利要求书

1.一种晶片接合结构，其特征在于，包括：

晶片；

基板，采用可透过紫外激光的材料；

粘合层，包含通过紫外线或热固化的有机材料，涂覆于晶片表面；以及

释放层，包含吸收紫外激光而分解的材料，涂覆于基板表面，并且与粘合层接合。

2.根据权利要求1所述的晶片接合结构，其特征在于，所述晶片的厚度为50～100μm，所述粘合层的厚度约10～30nm，所述释放层的厚度为200～1000nm，所述基板的厚度为300～600μm。

3.一种基于权利要求1所述的晶片接合结构的晶片剥离方法，其特征在于，所述晶片剥离方法包括步骤：

将紫外激光束由高斯分布的圆形光斑整形为平顶分布的矩形光斑；以及

采用整形得到的平顶分布的矩形光斑扫描释放层，通过释放层材料对紫外激光的吸收使释放层材料分解，实现晶片与基板的分离。

4.根据权利要求3所述的晶片剥离方法，其特征在于，所述晶片剥离方法还包括步骤：

完成释放层的扫描后，将晶片从基板上移走；以及

将晶片从基板上移走后，对晶片上的残余物进行清洁。

5.根据权利要求4所述的晶片剥离方法，其特征在于，将晶片从基板上移走的方式为采用真空吸盘在晶片和基板背离粘合面的一侧进行吸附，将晶片从基板上移走；或者，为采用机械器件伸入至晶片与基板的缝隙防止粘合层重新将晶片与基板粘合，之后再用机械手将晶片移走。

6.一种基于权利要求1所述的晶片接合结构的晶片接合方法，其特征在于，所述晶片接合方法包括步骤：

将粘合层涂覆于晶片的表面，将释放层涂敷于基板的表面；以及

将粘合层与释放层接合使得晶片与基板接合形成晶片接合结构。

7.一种晶片剥离装置，其特征在于，包括：

激光器，用于产生紫外激光束；

准直扩束系统，用于对激光器发出的激光束进行准直和扩束；

光束整形系统，用于将准直扩束后的激光束由高斯分布的圆形光斑整形为平顶分布的矩形光斑；

振镜，用于通过X和Y扫描镜控制整形后的激光束的传输方向；

聚焦透镜，与振镜连接用于将整形后的激光束聚焦至释放层；以及

控制系统，用于控制激光器发射激光束，以及控制X和Y扫描镜的偏转方向。

8.根据权利要求7所述的晶片剥离装置，其特征在于，所述光束整形系统包括衍射光学元件。

9.根据权利要求8所述的晶片剥离装置，其特征在于，所述光束整形系统还包括微透镜阵列、和/或液晶空间光调制器、和/或空间滤波系统。

10.根据权利要求7所述的晶片剥离装置，其特征在于，所述激光器为输出355nm波长的三倍频YAG激光器，或者为输出308nm波长的准分子激光器。