[发明专利]一种静电放电保护器件有效
| 申请号： | 201711465447.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979932B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 汪广羊;孙俊;孙贵鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 放电 保护 器件 | ||
1.一种静电放电保护器件，其特征在于，所述静电放电保护器件包括：
基底，所述基底具有第一类型掺杂，所述基底包括外围区域和内部区域；
位于所述基底的所述外围区域中的第一栅区以及位于所述第一栅区周围的第一体区，所述第一体区具有第二类型掺杂；
位于所述第一体区内的第一源区，所述第一源区具有第二类型掺杂，所述第一体区内仅包括具有第二类型掺杂的所述第一源区，所述第一源区与所述基底构成二极管；
位于所述基底的所述内部区域中的第二栅区以及位于所述第二栅区周围的第二体区，所述第二体区具有第二类型掺杂，所述第二栅区的深度小于或等于所述第一栅区的深度；以及
位于所述第二体区中的第二源区和位于所述第二源区之间的第一源区，所述第二源区具有第一类型掺杂。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一源区具有的所述第二类型掺杂为重掺杂。
3.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述基底包括重掺杂的本体层和位于所述本体层之上的轻掺杂的外延层，所述第一栅区、所述第一体区和所述第一源区位于所述外延层中。
4.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一栅区形成于位于所述基底内的第一沟槽中，所述第二栅区形成于位于所述基底内的第二沟槽中。
5.根据权利要求4所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一沟槽形成于相邻的所述第一体区之间，所述第一体区的深度小于所述第一沟槽的深度。
6.根据权利要求4所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一源区的深度小于所述第一沟槽的深度。
7.根据权利要求4所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第二沟槽的深度小于或等于所述第一沟槽的深度。
8.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述基底的内部区域形成有DMOS器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
