[发明专利]绝缘层覆硅结构

权利要求书

1.一种绝缘层覆硅结构，其特征在于，包含：

一底层；

一主动层位于该底层上方；

一第一绝缘结构位于该主动层与该底层之间；

一第二绝缘结构绕该主动层与该第一绝缘结构，其中该主动层嵌于该第一绝缘结构与该第二绝缘结构共同组成的一绝缘层中，且该主动层的一上表面与该第二绝缘结构的一上表面为共平面；以及

一阻隔层位于该第二绝缘结构中并环绕该主动层。

2.根据权利要求1所述的绝缘层覆硅结构，其特征在于，该第一绝缘结构包含：

一第一部分接触该主动层；以及

一第二部分位于该底层与该第一部分之间，且该第二部分的宽度小于该主动层的宽度。

3.根据权利要求2所述的绝缘层覆硅结构，其特征在于，该第一绝缘结构与该第二绝缘结构是以不同的材质所组成。

4.根据权利要求2所述的绝缘层覆硅结构，其特征在于，该第二部分的宽度与该主动层的宽度之间的比值介于0.2至0.5之间。

5.根据权利要求1所述的绝缘层覆硅结构，其特征在于，该主动层的该上表面与该阻隔层的一上表面为共平面。

6.根据权利要求1所述的绝缘层覆硅结构，其特征在于，该阻隔层的一厚度厚于该主动层的一厚度。