[发明专利]红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器

权利要求书

1.红外探测器的量子点有源区结构，包括：衬底（101），其特征在于：所述衬底（101）上具有缓冲层（102），所述缓冲层（102）上具有第一间隔层（103），所述第一间隔层（103）上具有5个层叠设置在一起的量子点复合层，所述量子点复合层包括下方的量子点层（104）和上方的第二间隔层（105），位于最上方的第二间隔层（105）上具有金属层（106），所述金属层（106）上具有阵列式通孔（107），所述衬底（101）的背面为光线的入射面；

所述金属层（106）的制作材料为Au，其厚度为20nm；

所述通孔（107）的孔径大小为60nm；

所述第一间隔层（103）和所述第二间隔层（105）的制作材料均为Al_0.3Ga_0.7As，其厚度均为80nm；

所述量子点层（104）的数量为5个，其制作材料为GaAs，厚度为7nm。

2.根据权利要求1所述的红外探测器的量子点有源区结构，其特征在于：所述衬底（101）的制作材料为Si，或为GaAs。

3.如权利要求1~2中任一所述 的红外探测器的量子点有源区结构的制作方法，其特征在于：包括：

S101、提供衬底（101），经过500~600℃的脱氧处理；

S102、在600~700℃下生长缓冲层（102）；

S103、在缓冲层（102）上生长第一间隔层（103）；

S104、在第一间隔层（103）上生长5个层叠设置在一起的量子点复合层；其中，生长一个量子点复合层，具体包括：

在第一间隔层（103）/第二间隔层（105）上生长量子点层（104）；

在量子点层（104）上生长第二间隔层（105）；

S105、在位于最上方的第二间隔层（105）上生长金属层（106）；

S106、在金属层（106）上形成阵列式通孔（107）。

4.红外探测器，其特征在于：所述红外探测器包含如权利要求1~2中任一所述的量子点有源区结构。