[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，半导体衬底上具有若干鳍部；

在半导体衬底和鳍部上形成介质层，介质层中具有暴露出鳍部的沟槽，沟槽包括暴露出部分鳍部的第一槽区和露出部分鳍部的第二槽区，自第一槽区中心至第二槽区中心的方向垂直于鳍部的延伸方向；

在沟槽第一槽区和第二槽区的侧壁和底部形成位于鳍部上的第一功函数层；

在沟槽第一槽区中形成第一覆盖层，第一覆盖层位于第一槽区的第一功函数层上且暴露出第二槽区的第一功函数层；

以第一覆盖层为掩膜刻蚀去除第二槽区的第一功函数层；

刻蚀去除第二槽区的第一功函数层后，在沟槽第二槽区中形成第二覆盖层；

刻蚀去除第二覆盖层和第一覆盖层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二覆盖层的材料为底部抗反射层材料或含碳有机聚合物。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一覆盖层的材料为底部抗反射层材料或含碳有机聚合物。

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述底部抗反射层材料包括含硅的碳氧化物。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一覆盖层的材料和所述第二覆盖层的材料相同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二覆盖层的工艺为沉积工艺或旋涂工艺。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除第二覆盖层和第一覆盖层的工艺为湿刻工艺和干刻工艺中一种或两者的结合。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，以第一覆盖层为掩膜刻蚀去除第二槽区的第一功函数层的工艺包括湿法刻蚀工艺。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一覆盖层的方法包括：在所述沟槽中形成填充满沟槽的第一覆盖膜；在第一覆盖膜上形成光刻胶层，所述光刻胶层位于第一槽区的第一覆盖膜上，且所述光刻胶层暴露出第二槽区的第一覆盖膜；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀去除第二槽区的第一覆盖膜，形成所述第一覆盖层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一功函数层的材料包括TiN、TiSiN、TaN、TaAlN或TaSiN。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在去除第二覆盖层和第一覆盖层之前，回刻蚀部分第二覆盖层和部分第一覆盖层，暴露出沟槽第一槽区侧壁顶部的第一功函数层，且使第二覆盖层和第一覆盖层的顶部表面高于第一槽区鳍部顶部的第一功函数层表面；回刻蚀部分第二覆盖层和部分第一覆盖层后，以第二覆盖层和第一覆盖层为掩膜刻蚀去除第一槽区暴露出的第一功函数层；以第二覆盖层和第一覆盖层为掩膜刻蚀去除第一槽区暴露出的第一功函数层后，刻蚀去除所述第二覆盖层和第一覆盖层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，回刻蚀部分第二覆盖层和部分第一覆盖层后，且在刻蚀去除第二覆盖层和第一覆盖层之前，第二覆盖层和第一覆盖层的顶部表面至介质层顶部表面的距离为3nm～5nm。

13.根据权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，以所述第二覆盖层和第一覆盖层为掩膜刻蚀去除第一槽区暴露出的第一功函数层的工艺包括干刻工艺。