[发明专利]一种闪存测试设备和方法有效
| 申请号： | 201711462901.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108346453B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡德智;王永成;韩飞 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G06F11/22 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 测试 设备 方法 | ||
1.一种闪存测试设备，其特征在于，所述闪存测试设备分别与终端和闪存连接，所述闪存测试设备包括数据发生器、缓存器和数据比对器；
所述数据发生器，用于根据所述终端发送的控制指令产生第一数据，所述控制指令包括配置所述数据发生器的配置指令、读写所述闪存的读写指令中的至少一种；
所述缓存器，用于根据所述控制指令读取所述闪存中的第二数据，以及存储所述第一数据和所述第二数据，还用于根据所述控制指令将所述第一数据写入所述闪存中；
所述数据比对器，用于比对所述第一数据和所述第二数据，并将比对结果反馈至所述终端；
所述数据发生器、所述缓存器和所述数据比对器通过现场可编程门阵列FPGA实现。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一数据的大小小于所述闪存的单页容量、单块容量、单片容量中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述闪存为NAND。
4.一种闪存测试方法，其特征在于，应用于权利要求1-3任一项所述的闪存测试设备，所述方法包括：
接收终端发送的控制指令，所述控制指令包括配置指令、读写指令中的至少一种；
根据所述控制指令产生第一数据，并存储所述第一数据；
根据所述控制指令将所述第一数据写入闪存中；
根据所述控制指令读取闪存中的第二数据，并存储所述第二数据；
比对所述第一数据和所述第二数据，并将比对结果反馈至所述终端。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一数据的大小小于所述闪存的单页容量、单块容量、单片容量中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述闪存为NAND。
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