[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括步骤：

S1、在衬底上依次制作栅极、栅极绝缘层和有源层；

S2、在所述栅极绝缘层上制作数据线，在所述有源层上制作源漏极，并刻蚀所述源漏极间的有源层以形成背沟道，获得薄膜晶体管；

其特征在于，所述步骤S2的具体方法包括下述步骤：

S21、在所述栅极绝缘层上制作数据线材料膜层，在所述有源层上制作源漏极材料膜层；

S22、在所述数据线材料膜层和所述源漏极材料膜层上均制作光阻材料膜层；

S23、采用半色调掩膜法刻蚀所述光阻材料膜层，形成光阻层，获得第一蚀刻基板；

其中，所述数据线材料膜层上的光阻层的边缘处的厚度小于中心处的厚度，所述数据线材料膜层上的光阻层的中心处的宽度与预形成的数据线的宽度相当；并且所述源漏极材料膜层上的光阻层的边缘处和中心处的厚度均小于边缘处与中心处之间的厚度，所述源漏极材料膜层上的光阻层的中心处延伸至边缘处的宽度与预形成的源漏极的边缘间距相当；

S24、采用4Mask工艺刻蚀所述第一蚀刻基板，在所述栅极绝缘层上形成所述数据线，在所述有源层上形成所述源漏极，在所述源漏极间形成所述背沟道，获得所述薄膜晶体管；

其中，所述步骤S24的具体方法为：

对所述第一蚀刻基板依次进行一次湿法刻蚀和一次干法刻蚀，所述数据线材料膜层的表面和所述源漏极材料膜层的表面均形成铜化合物层，获得第二蚀刻基板；

对所述第二蚀刻基板依次进行一次灰化光阻和二次湿法刻蚀，在所述栅极绝缘层上形成所述数据线，在所述有源层上形成所述源漏极，获得第三蚀刻基板；其中，对所述第二蚀刻基板进行一次灰化光阻时，所述数据线材料膜层的两侧上的光阻材料膜层被去除，露出所述数据线材料膜层的两侧；所述源漏极材料膜层的两侧上的光阻材料膜层被去除，露出所述源漏极材料膜层的两侧；所述源漏极材料膜层的待刻蚀背沟道的部分上的光阻材料膜层被去除，露出所述源漏极材料膜层上的待刻蚀背沟道的部分；接着进行二次湿法刻蚀时，所述露出的数据线材料膜层的两侧被去除以形成数据线；所述露出的源漏极材料膜层的两侧被去除以及所述露出的源漏极材料膜层的待刻蚀背沟道的部分被去除，从而形成源漏极；

对所述第三蚀刻基板依次进行二次干法刻蚀和二次灰化光阻，所述光阻层被完全去除，并且在所述源漏极间形成所述背沟道，获得所述薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤S23中，所述数据线材料膜层上的光阻层的中心处的宽度小于所述数据线材料膜层的宽度，所述源漏极材料膜层上的光阻层的中心处延伸至边缘处的宽度小于所述源漏极材料膜层的宽度。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述一次湿法刻蚀和所述二次湿法刻蚀中，刻蚀液为铜酸。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述一次干法刻蚀和所述二次干法刻蚀中，刻蚀气体为SF₆/Cl₂。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述一次灰化光阻和所述二次灰化光阻中，灰化气体为O₂。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，至少包括如权利要求1-5任一所述的薄膜晶体管的制作方法。