[发明专利]一种单晶制绒清洗工艺在审
| 申请号: | 201711460171.2 | 申请日: | 2017-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN108321220A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
| 发明(设计)人: | 黄日红;郝宝才 | 申请(专利权)人: | 江苏浠吉尔装备科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215311 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 单晶制绒 制绒工艺 清洗工艺 喷淋 电池板 预清洗 硅晶 制绒 单晶硅电池板 出料传送带 传送带 测试 水洗工艺 酸洗工艺 测试槽 工艺槽 清洗机 烘干 出料 放入 入料 清洗 检测 | ||
1.一种单晶制绒清洗工艺,其特征在于:在入料传送带上放入待制绒及清洗的单晶硅电池板,进过预清洗与水洗后,进入连续三步的制绒工艺,随后,在三步制绒工艺结束后进行水洗;在水洗后,继续进行三步制绒工艺,随后在该三步制绒工艺结束后再进行水洗;水洗后,在测试槽进行测试,测试不合格的单晶硅电池板将返回预清洗工艺,测试合格的单晶硅电池板继续进行快排喷淋;接下来经过两步酸洗工艺、一步水洗工艺以及快排喷淋后,再经过慢拉提工艺和两步烘干工艺,通过出料传送带出料;至此,整个单晶制绒清洗工艺完成。
2.如权利要求1所述的单晶制绒清洗工艺,其特征在于:所述的预清洗采用超声的方式进行,其目的为去除杂质颗粒。
3.如权利要求2所述的单晶制绒清洗工艺,其特征在于:可选择在60℃的温度下清洗300s。
4.如权利要求1所述的单晶制绒清洗工艺,其特征在于:所述制绒工艺步骤采用氢氧化钠溶液。
5.如权利要求4所述的单晶制绒清洗工艺,其特征在于:所述制绒工艺步骤还采用异丙醇和添加剂。
6.如权利要求1所述的单晶制绒清洗工艺,其特征在于:所述两步酸洗工艺分别用氢氟酸和盐酸对所述单晶硅电池板进行酸洗。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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