[发明专利]用于制造竖直半导体器件的方法和竖直半导体器件

权利要求书

1.一种竖直半导体器件，包括：

半导体本体，具有后侧，并且在外围区域中且在垂直于所述后侧的竖直方向上从所述后侧延伸到所述半导体本体的第一表面，所述半导体本体在有源区域中包括在竖直方向上从所述第一表面延伸到布置在所述第一表面上方的主表面的多个间隔开的半导体台面，在竖直截面中所述外围区域延伸在所述有源区域与边缘之间，所述边缘延伸在所述后侧与所述第一表面之间，在所述竖直截面中每个所述半导体台面包括第一侧壁、第二侧壁、延伸在所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的第一pn结、布置在所述第一pn结上方并且在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间延伸的第二pn结以及与所述半导体台面欧姆接触并且从所述主表面延伸到所述半导体台面中的导电区域；

—与所述半导体本体绝缘的多个栅极电极，每个所述栅极电极被布置在成对毗邻的半导体台面之间并且在所述竖直方向上跨所述毗邻的半导体台面的所述第一pn结延伸；以及

—被布置在所述后侧上的后侧金属化结构。

2.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，其中在从上方观察时所述导电区域相对于所述半导体台面基本上被置于中心。

3.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，进一步包括与最外面的半导体台面绝缘且毗邻并且延伸到所述外围区域中的附加栅极电极。

4.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，还包括从所述主表面蚀刻进入所述半导体台面的浅沟槽，从而所述浅沟槽并不延伸至所述第一pn结。

5.根据权利要求4所述的竖直半导体器件，其中所述导电区域被布置在所述浅沟槽中。

6.根据权利要求1所述的竖直半导体器件，还包括从所述主表面蚀刻进入所述半导体本体的深沟槽，其中所述半导体台面被布置在所述深沟槽中的相邻深沟槽之间。

7.根据权利要求6所述的竖直半导体器件，其中所述栅极电极被布置在所述深沟槽中。