[发明专利]光罩及图案化方法在审
申请号: | 201711456939.9 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108153106A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 尹易彪 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G03F1/76;H01L21/027 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光阻层 光罩 透镜 基板 图案化 渗入 光阻材料层 图案化膜层 剥离图案 聚光作用 斜面形成 剥离液 光阻区 聚光的 透光区 沉积 减小 遮盖 照射 剥离 | ||
1.一种光罩,其特征在于,包括光罩主体及设于所述光罩主体上的透镜,所述光罩主体包括透光区及遮光区,所述透镜遮挡所述透光区,所述透镜用于聚光。
2.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述透镜为菲涅尔透镜,所述透镜包括一光面及与所述光面相对的图案面。
3.如权利要求2所述的光罩,其特征在于,所述透镜包括入光面及与所述入光面相对的出光面,所述入光面为所述图案面,所述出光面为所述光面。
4.如权利要求1-3任意一项所述的光罩,其特征在于,所述光罩主体上还设有半透光区。
5.如权利要求1-3任意一项所述的光罩,其特征在于,所述透镜内嵌于所述光罩主体内或固定于所述光罩主体上。
6.一种图案化方法,其特征在于,包括步骤:
在一基板上形成覆盖所述基板的光阻材料层;
通过一光罩对所述光阻材料层进行图案化,得到光阻层;所述光罩包括光罩主体及设于所述光罩主体上的透镜,所述光罩主体包括透光区及遮光区,所述透镜遮挡所述透光区,所述透镜用于聚光;所述光阻层部分覆盖所述基板,所述光阻层包括间隔设置的多个光阻区,所述光阻区的截面为梯形,包括上底面、下底面及斜面,所述上底面与所述下底面相对,所述斜面连接所述上底面及所述下底面;
在所述光阻层上形成待图案化膜层,所述待图案化膜层覆盖所述光阻层,及每两个相邻的光阻区之间未被所述光阻层覆盖的基板;覆盖所述基板的所述待图案化膜层与同其相邻的所述光阻区的斜面形成空隙;
将剥离剂通过所述空隙渗入所述光阻层与所述基板之间,以将所述光阻层从所述基板上剥离,并连同覆盖于所述光阻层上的待图案化膜层同时剥离,得到图案化的膜层。
7.如权利要求6所述的图案化方法,其特征在于,所述“通过一光罩对所述光阻材料层进行图案化,得到光阻层”包括步骤:
将所述光罩设于所述光阻材料层背向所述基板一侧,且所述透镜的光面朝向所述光阻材料层;
使光线透过所述光罩对所述光阻材料层进行曝光;所述光罩上的透镜将所述光源的光线聚集并照射至所述光阻材料层;
将曝光后的所述光阻材料层进行显影,得到所述光阻层。
8.如权利要求7所述的图案化方法,其特征在于,所述光阻材料层通过喷墨打印、旋涂、或转印工艺形成,所述光阻材料层为负型光阻,图案化所述光阻材料层后得到的所述光阻层截面为倒梯形。
9.如权利要求7所述的图案化方法,其特征在于,所述光阻材料层为正型光阻。
10.如权利要求6所述的图案化方法,其特征在于,所述透镜为菲涅尔透镜,所述透镜包括一光面及与所述光面相对的图案面。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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