[发明专利]一种流量控制方法及流量控制装置有效
申请号: | 201711456622.5 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108198771B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 吴华德;熊光涌;蒋方丹;邢国强;王栩生 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/228;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 流量 控制 方法 装置 | ||
1.一种流量控制方法,其特征在于,包括:
获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数;
根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及所述当前扩散工艺的运行序数,得到当前执行所述扩散工艺所需要的小氮流量值;
所述根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及所述当前扩散工艺的运行序数,得到当前执行所述扩散工艺所需要的小氮流量值之前,还包括:
构建扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系;
其中,所述构建扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系,包括:
更换液态扩散源存储罐后,对经各次扩散工艺后的硅片的方阻均进行测量;
若经第M次扩散工艺后所述硅片的方阻在第一设定阈值范围之外,判定经过第M次扩散工艺后硅片方阻漂移;
对第M次扩散工艺所需要的小氮流量值进行修正,将修正后的所述小氮流量值作为执行第M次扩散工艺所需要的小氮流量值;
其中,M为正整数;
按照所述当前执行所述扩散工艺所需要的小氮流量值,向所述扩散炉输入小氮。
2.根据权利要求1所述的流量控制方法,其特征在于,还包括:
更换液态扩散源存储罐后,从0开始,每运行完一次扩散工艺,扩散工艺运行次数加1;
所述获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数,包括:
获取从更换液态扩散源存储罐起至当前时刻止的时间段内扩散工艺的总运行次数;
将所述扩散工艺的总运行次数加1作为当前扩散工艺的运行序数。
3.根据权利要求1所述的流量控制方法,其特征在于,所述对第M次扩散工艺所需要的小氮流量值进行修正,将修正后的所述小氮流量值作为执行第M次扩散工艺所需要的小氮流量值,包括:
向所述扩散炉分别输入多个不同的流量值的小氮,进行扩散工艺测试;
若经过第M1次扩散工艺测试的硅片的方阻在第二设定阈值范围之内,则将进行第M1次扩散工艺测试时,向所述扩散炉输入的小氮流量值作为执行第M次扩散工艺所需要的小氮流量值;
其中,M1为正整数。
4.根据权利要求1所述的流量控制方法,其特征在于,所述构建扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系,还包括:
若相邻两次硅片方阻漂移发生于第N1次扩散工艺之后和第N2次扩散工艺之后;
则执行第N次扩散工艺所需要的小氮流量值BN为
其中,BN2为执行第N2次扩散工艺所需要的小氮流量值,BN1为执行第N1次扩散工艺所需要的小氮流量值;N、N1和N2均为正整数,且N1<N<N2。
5.根据权利要求4所述的流量控制方法,其特征在于,所述构建扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系,还包括:
更换液态扩散源存储罐后,若第一次硅片方阻漂移发生于第N3次扩散工艺之后;
则执行第N’次扩散工艺所需要的小氮流量值BN’为
其中,BN3为执行第N3次扩散工艺所需要的小氮流量值,B1为执行第1次扩散工艺所需要的小氮流量值;N’和N3均为正整数,且1<N’<N3≤N1。
6.根据权利要求2所述的流量控制方法,其特征在于,
所述扩散源为三氯氧磷或三溴化硼。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造