[发明专利]一种芯片剥离装置有效
申请号: | 201711456612.1 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108133907B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 沈会强;霍杰;郎平;叶乐志;崔洁 | 申请(专利权)人: | 北京中电科电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100176 北京市经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 剥离 装置 | ||
本发明提供一种芯片剥离装置,包括:用于吸附蓝膜的吸附平台,吸附平台的吸附面上设有多个吸附孔;用于使芯片预脱模的凸台,凸台设置于所述吸附平台内,且吸附平台能够在垂直于吸附面的方向上进行升降运动,以使所述凸台凸出吸附面或收容于吸附平台内;用于将芯片顶起以剥离蓝膜的顶针,顶针设置于所述凸台内,并能够相对于凸台在垂直于吸附面的方向上进行升降运动,以使顶针伸出凸台或收容于凸台内;用于驱动吸附平台进行升降运动的第一升降机构,第一升降机构与吸附平台连接;以及,用于驱动顶针进行升降运动的第二升降机构,第二升降机构与顶针连接。这样,可以使芯片实现逐步剥离,能够更有效的避免使芯片失效。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种芯片剥离装置。
背景技术
随着集成电路产业的发展,集成电路(Integrated Circuit,简称为IC)芯片变得越来越薄,因此IC封装技术朝着低功耗、小尺寸、高速度、高集成度的方向迅速发展,以满足芯片频率更高、引脚数增多、引脚间距减小、可靠性提高的发展需求。芯片剥离过程作为封装工艺中不可或缺的关键工艺步骤,对后续封装工艺过程和产品性能发挥着重要的作用。目前,针对50~100μm以下的超薄芯片的拾取剥离,通常需要通过芯片剥离装置的顶针的顶起力使芯片从蓝膜上剥离,然而,由于芯片背面受到顶针的顶起力的作用,容易产生局部损伤或者划痕,从而容易导致芯片失效。
由此,目前的芯片在拾取剥离的过程中,其背面由于受到顶针的顶起力的作用,容易产生局部损伤或者划痕,从而容易导致芯片失效。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种芯片剥离装置,解决了超薄芯片在拾取剥离的过程中,其背面由于受到顶针的顶起力的作用,容易产生局部损伤或者划痕,从而容易导致芯片失效的问题。
为达上述目的,本发明实施例提供一种芯片剥离装置,包括:
用于吸附所述蓝膜的吸附平台,所述吸附平台的吸附面上设有多个吸附孔;
用于使所述芯片预脱模的凸台,所述凸台设置于所述吸附平台内,且所述吸附平台能够在垂直于所述吸附面的方向上进行升降运动,以使所述凸台凸出所述吸附面或收容于所述吸附平台内;
用于将所述芯片顶起以剥离所述蓝膜的顶针,所述顶针设置于所述凸台内,并能够相对于所述凸台在垂直于所述吸附面的方向上进行升降运动,以使所述顶针伸出所述凸台或收容于所述凸台内;
用于驱动所述吸附平台进行升降运动的第一升降机构,所述第一升降机构与所述吸附平台连接;
以及,用于驱动所述顶针进行升降运动的第二升降机构,所述第二升降机构与所述顶针连接。
可选的,所述第一升降机构包括:
一固定基板;
轴承部,固定于所述固定基板上;
内部具有容置腔的缸体,所述缸体包括相对的第一端和第二端,所述缸体的第一端固定一端盖,所述端盖上设有所述吸附平台,所述缸体的第二端设于所述轴承部上,并能够在所述轴承部上滑动,以使所述吸附平台在垂直于所述吸附面的方向上进行升降运动;
以及,活塞,所述活塞的一端与所述凸台固定连接,另一端与所述轴承部固定连接,且所述活塞设置于所述缸体的容置腔内,并将所述缸体的容置腔分为靠近所述第一端的第一空腔和靠近所述第二端的第二空腔;
其中,所述第一空腔与所述吸附面上的所述吸附孔连通,所述轴承部上设有用于与真空发生器连接的第一通气管,且所述第一通气管与所述第一空腔相连通,用于对所述第一空腔抽真空;
所述轴承部上还设有用于与气源连接的第二通气管,所述第二通气管与所述第二空腔连通,用于向所述第二空腔内输送气体,以驱动所述缸体沿所述轴承部滑动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造