[发明专利]一种获取调Q高压脉冲的电路有效
| 申请号: | 201711456196.5 | 申请日: | 2017-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN108258930B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
| 发明(设计)人: | 束小文;张小彬;安俊亮;王广琴;喻荣 | 申请(专利权)人: | 大连淡宁实业发展有限公司 |
| 主分类号: | H02M9/00 | 分类号: | H02M9/00;H01S5/042 |
| 代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 郭德忠;李爱英 |
| 地址: | 116021 辽宁省大连*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 获取 高压 脉冲 电路 | ||
本申请提供的一种获取调Q高压脉冲的电路,倍压电路把将高压充电电路的电压进行放大,信号处理电路对外部输入的调Q信号进行整形滤波,从而获取脉冲驱动信号去驱动正、负高压脉冲信号产生电路根据放大后的电压输出正负相反的高压脉冲;则相比于传统的高压脉冲电路,在获取同样大小的高压脉冲时,本申请的高压脉冲的电压值只需为传统高压脉冲电压值的一半,有效避免电路电压过高容易打火的风险,保障电路安全;同时,由于高压充电电路的变压器的感应电压大小与其振荡时间有关,则本申请通过调节PWM波的占空比大小,可以控制自身变压器的振荡时间,使变压器输出的电压为倍压电路所需的稳定的电压。
技术领域
本发明属于光电技术领域,尤其涉及一种获取调Q高压脉冲的电路。
背景技术
调Q晶体的工作原理是:半导体激光晶体产生的能量激光发射到调Q晶体上并被吸收,则能量激光在调Q晶体内聚集。当高压脉冲信号加载在调Q晶体上,在高压脉冲的激励下调Q晶体瞬间把聚集的能量激光释放,从而形成激光束发射出去,在没有高压脉冲激励时,激光在调Q晶体内聚集无法释放出去。因此,调Q需要获取高压脉冲。
我国目前市场上的激光电光调Q技术虽然日渐成熟,但其体积、重量、成本却不尽人意,设计要求、思路等一成不变。现有的半导体激光电源电路普遍存在输出的高压脉冲幅值容易受环境温度影响、所需供电电压范围狭窄、在供电电源恶劣时无法正常运作等问题。而且,传统的半导体激光电源电路输出的高压脉冲的电压值往往过大,不利于电路安全。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种获取调Q高压脉冲的电路,能够有效减小电路承载的电压,保障电路安全。
一种获取调Q高压脉冲的电路,包括信号处理电路1、高压充电电路2、倍压电路3、正高压脉冲信号产生电路4以及负高压脉冲信号产生电路5;
所述信号处理电路1对外部输入的调Q信号进行整形滤波,从而获取为正高压脉冲信号产生电路4和负高压脉冲信号产生电路5提供的脉冲驱动信号;所述高压充电电路2通过调节PWM波的占空比控制自身变压器的振荡时间,从而为倍压电路3提供稳定的电压;所述倍压电路3把所述电压进行设定倍数的放大后提供给正高压脉冲信号产生电路4和负高压脉冲信号产生电路5;所述正高压脉冲信号产生电路4和负高压脉冲信号产生电路5在所述脉冲驱动信号的驱动下,分别根据经过设定倍数放大的电压产生正负相反的高压脉冲进行输出。
可选地,所述信号处理电路1包括驱动芯片U3,MOS管U1、U2,二极管DZ1、DZ2、D1,电容C1~C5,电阻R1、R3、R4、R5、R7以及线圈L2、L6;
所述U3的两个输入脚IN A、IN B分别接入调Q信号,电源脚VCC接入设定电压后通过C5接地,地脚GND接地,两个输出脚OUT A、OUT B分别输出幅值为设定电压的信号进入C3进行滤波整形,完成滤波整形的信号再连接到U2的栅极,同时U2的栅极通过R7接地,源极也接地;U2的漏极通过串联的R4、R3连接到通用供电电源,漏极还连接C1的一端,C1的另一端连接D1正极后接地,又通过连接相互并联的L2和L6后接地;其中,L2和L6内的电流信号为正高压脉冲信号产生电路4和负高压脉冲信号产生电路5的脉冲驱动信号;U1的基极通过DZ1接地,发射极接入设定电压,集电极串联R3接入通用供电电源;R1一端接U1的栅极,另一端接U1的集电极;C2一端接U1的集电极,另一端接地;R5一端接U1的集电极,另一端接入调Q信号;DZ2和C4并联的一端接地,另一端接入调Q信号。
可选地,所述信号处理电路1还包括通用接口J1,所述通用供电电源和调Q信号通过通用接口J1进入所述信号处理电路1。
可选地,所述高压充电电路2包括PWM电压型控制芯片U4,电阻R11~R14,电容C8、C9、C10、C14、C15,MOS管U5以及变压器T1;
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