[发明专利]玻璃基板的研磨方法及研磨装置有效

专利信息
申请号: 201711455661.3 申请日: 2017-12-27
公开(公告)号: CN107953154B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 沈海洋 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24B9/10;B24B49/12
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 玻璃 研磨 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种玻璃基板的研磨方法,用于对玻璃基板的待研磨侧面进行研磨,其特征在于,所述研磨方法包括:

将所述玻璃基板放置在研磨机台的台面上,所述待研磨侧面具有在所述台面内的第一投影;

确定垂直于所述台面的基准面,所述基准面具有在所述台面内的第二投影,所述第二投影的延伸方向与所述第一投影的延伸方向一致,且所述第二投影为直线;

检测所述待研磨侧面上沿所述第一投影的延伸方向分布的若干位置到所述基准面的距离;

确定测得的若干所述距离中的最大值与最小值的差值;

根据所述差值确定总研磨量;

设定研磨工具的加工量为所述总研磨量,并控制所述研磨工具对所述待研磨侧面进行研磨。

2.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于,确定垂直于所述台面的基准面的步骤包括:

在所述研磨机台上安装测距装置,使所述测距装置与所述待研磨侧面相隔一定距离;

确定过所述测距装置的中心的平面,使所述平面垂直于所述台面,且所述平面在所述台面内投影的延伸方向与所述第一投影的延伸方向一致;

将所述平面作为所述基准面。

3.根据权利要求2所述的研磨方法,其特征在于,检测所述待研磨侧面上沿所述第一投影的延伸方向分布的若干位置到所述基准面的距离的步骤包括:

固定所述测距装置,并沿所述第二投影的延伸方向平移所述玻璃基板,使所述若干位置依次经过所述测距装置;

通过所述测距装置依次检测所述若干位置到所述基准面的距离。

4.根据权利要求1-3任一项所述的研磨方法,其特征在于,根据所述差值确定总研磨量的步骤包括:

确定所述待研磨侧面的研磨余量;

将所述差值加上所述研磨余量,得到所述总研磨量。

5.根据权利要求1-3任一项所述的研磨方法,其特征在于,设定所述研磨工具的加工量为所述总研磨量,并控制所述研磨工具对所述待研磨侧面进行研磨的步骤包括:

确定所述研磨工具的单次额定研磨量;

根据所述总研磨量与所述单次额定研磨量确定总研磨次数;

设定所述研磨工具研磨的次数为所述总研磨次数,并控制所述研磨工具分若干次进行研磨。

6.根据权利要求5所述的研磨方法,其特征在于,根据所述总研磨量与所述单次额定研磨量确定总研磨次数的步骤包括:

确定所述总研磨量除以所述单次额定研磨量的结果;

判断所述结果是否为小数;

在所述结果为小数时,将所述结果加一,得到所述总研磨次数。

7.一种玻璃基板的研磨装置,用于对玻璃基板的待研磨侧面进行研磨,其特征在于,

所述研磨装置包括研磨机台、安装在所述研磨机台上的测距装置、控制装置及研磨工具;所述研磨机台具有用于承载所述玻璃基板的台面,所述待研磨侧面具有在所述台面内的第一投影;所述测距装置的中心所在平面为基准面,所述基准面垂直于所述台面,所述基准面具有在所述台面内的第二投影,所述第二投影的延伸方向与所述第一投影的延伸方向一致,且所述第二投影为直线,所述测距装置用于检测所述待研磨侧面内沿所述第一投影的延伸方向分布的若干位置到所述基准面的距离;所述控制装置用于确定所述测距装置测得的若干所述距离中的最大值与最小值的差值,并根据所述差值确定总研磨量,所述控制装置还用于根据所述总研磨量控制所述研磨工具对所述待研磨侧面进行研磨。

8.根据权利要求7所述的研磨装置,其特征在于,

还包括安装在所述研磨机台上的承载台,所述承载台用于承载所述玻璃基板,所述承载台可沿所述第二投影的延伸方向平移,使所述若干位置依次经过所述测距装置,以使所述测距装置依次检测所述若干位置到所述基准面的距离。

9.根据权利要求7所述的研磨装置,其特征在于,

所述控制装置内配置有所述待研磨侧面的研磨余量,所述控制装置还用于将所述研磨余量加上所述差值得到所述总研磨量。

10.根据权利要求7-9任一项所述的研磨装置,其特征在于,

所述控制装置内配置有所述研磨工具的单次额定研磨量,所述控制装置还用于根据所述总研磨量与所述单次额定研磨量确定总研磨次数,并根据所述总研磨次数控制所述研磨工具分若干次进行研磨。

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