[发明专利]一种MWT电池丝网印刷不良品的处理方法在审
申请号: | 201711453726.0 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108198874A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 李质磊;安欣睿;逯好峰;吴仕梁;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 南京日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;B41M1/26;B41M1/22;B41M1/14 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 王艳丽 |
地址: | 211800 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不良品 丝网印刷 印刷 电池 孔洞 电极孔洞 正面电极 铝背场 返工 铝浆 掩膜 制备 漏电 电池背面 极点区域 清洗工艺 正面浆料 正面银浆 电池片 浆料 去除 背面 配方 清洗 合格率 污染 优化 | ||
本发明公开了一种MWT电池丝网印刷不良品的处理方法,包括:将MWT电池丝网印刷不良品分为正面电极印刷不良品和铝背场印刷不良品;去除正面电极印刷不良品的正面浆料和电极孔洞内的浆料,与铝背场印刷不良品一起,在电极孔洞内制备一层掩膜后再清洗电池片的背面。本发明采用丝网印刷的方式,在孔洞内制备一层掩膜,防止铝浆及正面银浆在返工过程中引起孔洞内漏电。同时,通过优化清洗工艺及配方,消除了MWT电池背面负极点区域的铝浆污染。此方法大大提高了MWT电池印刷不良品的返工合格率。
技术领域
本发明涉及硅太阳能电池工艺技术领域,尤其涉及一种MWT电池丝网印刷不良品的处理方法。
背景技术
晶体硅太阳能技术包括异质结太阳能电池(HIT),背电极接触硅太阳能电池(IBC),发射极环绕穿通硅太阳能电池(EWT),激光刻槽埋栅电池,倾斜蒸发金属接触硅太阳能电池(OECO)及金属穿孔卷绕硅太阳能电池(MWT)等,其中MWT电池因其效率高,遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。MWT硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面收集的能量穿过电池转移至电池背面,以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的。
目前,MWT电池的正负极、铝背场及正面电极均沿用常规丝网印刷的方式制备。在正常的丝网印刷生产过程中,经常会出现一些由于印刷异常而导致的丝网印刷不良品,从而影响产品的合格率和转换效率。对于常规电池片的印刷不良品,通过酒精或松油醇擦拭返工时,往往会将铝浆擦拭污染到电池片的正面或边缘而引起漏电和低效,所以仅仅通过擦拭返工后下传会严重影响返工合格率。目前,业内一般采用酸洗+水洗的方法进行印刷不良品的返工处理,通过盐酸与铝金属的化学反应彻底清除电池片表面无法擦拭掉的铝浆,通过此方法处理后的返工合格率可达95%以上。其中,专利CN201110111345.0公布了一种采用盐酸、异丙醇、深度清洗液的方式进行返工;专利CN200710301464.6公布了一种采用酒精超声清洗、盐酸浸泡、水洗、酒精超声的方式进行返工。专利CN201510872005.8公布了一种采用酒精超声清洗、盐酸和硝酸超声清洗、甩干的方式进行返工。
由于MWT电池片穿孔及正负极均在背面的特殊结构决定了其制程及不合格品处理的特殊性。对于MWT电池的印刷不良品,通过酒精或松油醇擦拭返工时,不仅铝浆污染到正面及边缘会影响返工合格率,铝浆污染到MWT电池背面的负极点区域和孔洞内部区域也会引起漏电和转换效率。采用常规电池的返工办法处理MWT印刷不良品时,返工合格率偏低且低于50%。由此,针对MWT电池印刷不良品的返工需要制定特殊的返工方案及流程,目前还未见相关报告及研究。
发明内容
发明目的:为解决现有技术中的问题,本发明提供了一种MWT电池丝网印刷不良品的处理方法。
技术方案:本发明所述的MWT电池丝网印刷不良品的处理方法,包括:清除电池片电极孔洞内的浆料,在电极孔洞内制备一层掩膜后再清洗电池片的背面。
所述的MWT电池丝网印刷不良品的处理方法的具备步骤包括:
(1)将MWT电池丝网印刷不良品分为正面电极印刷不良品和铝背场印刷不良品;
(2)去除正面电极印刷不良品的正面浆料和电极孔洞内的浆料,与铝背场印刷不良品一起,在电极孔洞内制备一层掩膜后再清洗电池片的背面。
正面浆料以及电极孔洞内的浆料采用酒精或松油醇清除。具体操作时,可采用浸渍酒精或松油醇的无尘布或无尘纸擦拭掉正面浆料(银浆),用喷枪冲洗掉孔洞内的浆料。
所述的掩膜由石蜡或抗酸高分子材料制成,厚度1-20μm,进一步为厚度1-5μm。
所述电池片背面的清洗方法包括:
(a)用酒精或松油醇洗掉电池片背面的铝浆,然后漂洗;
(b)将经步骤(a)处理的电池片采用酸或者酸与络合剂的混合液进行清洗,清洗结束后漂洗;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的