[发明专利]一种MWT电池堵孔不良品的处理方法有效
申请号: | 201711453552.8 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108110089B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 李质磊;安欣睿;逯好峰;吴仕梁;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 王艳丽 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mwt 电池 不良 处理 方法 | ||
本发明公开了一种MWT电池堵孔不良品的处理方法,包括:挑选出MWT堵孔不良的电池片,对堵孔不良的位置及数量进行统计,分类放置;将分类后的堵孔不良电池片,采用激光打孔方式对堵孔不良的孔洞进行重新打孔;采用丝网印刷的方式,对重新打孔的孔洞印刷导电胶进行重新填孔;烘干固化导电胶;对导电胶固化后的MWT返工电池片重新进行测试分选。本发明采用目前量产的MWT电池生产设备及工艺,提出一种高效、低成本的MWT电池堵孔不良返工方法,提高了MWT电池合格率。
技术领域
本发明涉及硅太阳能电池工艺技术领域,尤其涉及一种MWT电池堵孔不良品的处理方法。
背景技术
晶体硅太阳能技术包括异质结太阳能电池(HIT),背电极接触硅太阳能电池(IBC),发射极环绕穿通硅太阳能电池(EWT),激光刻槽埋栅电池,倾斜蒸发金属接触硅太阳能电池(OECO)及金属穿孔卷绕硅太阳能电池(MWT)等,其中MWT电池因其效率高,遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。MWT硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面收集的能量穿过电池转移至电池背面,以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的,图1示出了MWT太阳能电池的结构,包括正面(即受光面)具有扩散层2的硅片1,覆于扩散层2上的减反膜3,设于减反膜3上的正面栅线电极(或称正电极)4,设于硅片背面的铝背场5,电极孔6贯穿硅片、减反膜和铝背场,用导电浆料填充电极孔与正电极相连通并形成背面电极的负极7,负极7呈6×6矩阵分布,硅片的背面设有背面电极的正极8,正极呈5×5矩阵分布,每行正极处于两行负极之间,铝背场5覆于硅片背面并避让背面电极。。
对于MWT电池的整个制程,如何有效将正面收集的电流引导到背面是关键和核心。目前,量产的MWT电池采用激光制孔外加丝网印刷银浆堵孔的制程方式来实现。由于,MWT电池的堵孔效果显著影响MWT电池的光电转换效率及合格率,同时堵孔不良电池还会影响MWT电池组件的可靠性等缘故,对MWT电池堵孔不良电池片的检测、分选以及堵孔不良的处理办法将是亟待解决的问题。
对于MWT电池堵孔不良品的返工方案及流程,目前还未见相关报告及研究。
发明内容
发明目的:为解决现有技术中的问题,本发明提供了一种高效、低成本的MWT电池堵孔不良品的处理方法。
技术方案:本发明所述MWT电池堵孔不良品的处理方法,包括:
(1)挑选出MWT堵孔不良的电池片,对堵孔不良的位置及数量进行统计,分类放置;
(2)将分类后的堵孔不良电池片,采用激光打孔方式对堵孔不良的孔洞进行重新打孔;
(3)采用丝网印刷的方式,对重新打孔的孔洞印刷导电胶进行重新填孔;
(4)烘干固化导电胶;
(5)对导电胶固化后的MWT返工电池片重新进行测试分选。
步骤(2)中,电池片非镀膜面朝上进行打孔,避免打孔时损伤镀膜层。
步骤(2)中,根据不良品的统计分类结果设定激光打孔图案,进行重新打孔;步骤(3)中,根据设定的激光打孔图案,定制相应相应激光打孔方案规格的网版进行丝网印刷。堵孔不良的位置和数量决定了需要激光重新开孔以及后续导电胶重新堵孔的位置和数量,从而决定了成本,对堵孔不良的位置和数量进行分选及统计,制定合理的图案,提高返工合格率,降低返工成本。
目前,电池片的电极孔呈6×6矩阵排布,其中一种较好的分类方式:激光打孔图案分为如下三种:
(1)由第1、6行和第1、6列电极孔围绕形成的图案;
(2)处于中心位置的四个电极孔组成的图案;
(3)除(1)和(2)外的剩余电极孔形成的图案。
另一种较好的分类方式,激光打孔图案分为如下四种:
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