[发明专利]一种双层透明触控电极电容式触摸屏的制备方法

说明书

本发明涉及了一种双层透明触控电极电容式触摸屏的制备方法。一种双层透明触控电极电容式触摸屏的制备方法：一、制作触摸屏边框；二、涂布第一纳米线透明导电膜层；三、进行图案化形成X方向透明触控电极；四、涂布透明绝缘层；五、涂布第二纳米线透明导电膜层；六、进行图案化形成Y方向透明触控电极；七、涂布周边引线；八、涂布透明保护层，即完成电容式触摸屏的制备。本发明的一种双层透明触控电极电容式触摸屏的制备方法，避免使用成本高昂的氧化铟锡材料及溅射氧化铟锡透明导电层所需的真空镀膜设备；简化工艺、降低成本、提高良率，增大透过率，适用且不限于OGS、TOL、OPS等结构的触摸屏制备。

技术领域

本发明涉及触摸屏制造领域，特别是涉及一种双层透明触控电极电容式触摸屏的制备方法。

背景技术

随着现代触控技术的进步，触摸屏应用范围不断扩大，手机、平板电脑中触控功能几近成为标准配置；在笔记本电脑、超极本、一体机中，具备触控功能的产品占有市场份额也不断扩大；从触摸屏产业的角度看，触摸屏低成本、量产性是未来发展的方向；而对于普通消费者，触摸屏的轻薄性、高透过性则会得到更多关注；随着触控技术的发展，传统的电阻式触摸屏逐步被更轻薄、触控性能更佳的电容式触摸屏技术所取代；在诸多电容式触摸屏结构中，以OGS及TOL结构的触摸屏轻薄性、透过率最佳；对于已有OGS及TOL工艺，业界通常使用单层ITO或ITO垮桥结构来形成触摸电极结构，工艺上需要使用真空溅射设备沉积ITO薄膜，然后使用黄光制程形成图形，对于垮桥结构还需在垮桥下制作透明绝缘层材料；无论是哪种结构，都需要昂贵的真空溅射工艺沉积ITO透明导电膜层；另外核心材料的氧化铟锡也逐渐暴露出诸多问题：第一、铟资源储备有限，ITO作为透明电极在越来越多的领域得到广泛应用，这就加速铟资源的消耗速度，铟价格也逐步提高，直接造成器件制造成本的增加；第二、ITO薄膜需要昂贵的真空镀膜设备并且在较高的基板温度下才能获得高性能的ITO透明导电膜，设备投资巨大，工艺难度较高，并且溅射机台很容易成为产线瓶颈，限制产能；第三、为了获得较小的方阻值，通常ITO沉积的厚度较大，这就造成ITO图形易见，为了克服这个缺点，业界往往在沉积ITO之前使用真空溅射沉积二氧化硅、五氧化二铌等复合消隐层，这就更加增加了制造成本，限制产能。

发明内容

本发明提供了一种双层透明触控电极电容式触摸屏的制备方法，通过本发明方法避免使用成本高昂的氧化铟锡(ITO)材料及溅射氧化铟锡透明导电层所需的真空镀膜设备；并且由于金属纳米线透明导电膜极佳的导电性，优于ITO薄膜材料的高透过率特性，省去了ITO透明导电电极所必须的消隐层结构及所需的真空溅射设备；适用且不限于OGS、TOL、OPS等结构的触摸屏制备。

一种双层透明触控电极电容式触摸屏的制备方法，具体是按以下步骤进行的：一、在透明盖板上使用印刷工艺制作触摸屏边框；二、在透明盖板的上表面采用导电纳米线墨水材料涂布第一纳米线透明导电膜层；三、对步骤二得到的第一纳米线透明导电膜层通过黄光制程进行图案化，形成X方向透明触控电极；四、在X方向透明触控电极的上方涂布透明绝缘层；五、在透明绝缘层的上表面采用导电纳米线墨水材料涂布第二纳米线透明导电膜层；六、对步骤五得到的第二纳米线透明导电膜层通过黄光制程进行图案化，形成Y方向透明触控电极；七、通过低温固化导电银浆涂布周边引线；八、在最上侧涂布透明保护层，即完成电容式触摸屏的制备。

步骤一中的透明盖板为钢化玻璃、普通玻璃或透明塑料基板。

步骤一中的触摸屏边框的厚度为1-20μm。

步骤二或步骤五中的导电纳米线墨水材料涂布的方式为狭缝挤压式涂布工艺、旋涂工艺、刮涂工艺或辊涂工艺；导电纳米线墨水材料为金属纳米线墨水材料或碳纳米管墨水材料；其中，金属纳米线墨水材料为金纳米线材料、银纳米线材料、铜纳米线材料和铝纳米线材料中的一种或其中几种按任意比例的复合墨水材料。