[发明专利]一种多输入放大器及包括该放大器的双控制电路在审
申请号: | 201711451988.3 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN107888155A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 陶冬毅 | 申请(专利权)人: | 苏州菲达旭微电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司32232 | 代理人: | 黄丽莉 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输入 放大器 包括 控制电路 | ||
1.一种多输入放大器,包括:用于实现差分放大的差分放大电路,其特征在于,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分MOS晶体管并联的一个MOS晶体管。
2.根据权利要求1所述的多输入放大器,其特征在于,对于所述差分放大电路的反向输入端为通过NMOS晶体管输入时,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分NMOS晶体管并联的一个NMOS晶体管。
3.根据权利要求2所述的多输入放大器,其特征在于,所述差分放大电路包括:PMOS晶体管MP101、PMOS晶体管MP102、PMOS晶体管MP103、NMOS晶体管MN101、NMOS晶体管MN102、NMOS晶体管MN103、NMOS晶体管MN104、NMOS晶体管MN105以及NMOS晶体管MN106;
MP101和MP102镜像连接;
MN101、MN102和MN103镜像连接。
4.根据权利要求3所述的多输入放大器,其特征在于,
MP101的源极分别与恒流源I、MP102的源极和MP103的源极连接,其栅极分别与MP102的栅极、MP101的漏极和MN104的漏极连接,且其漏极还与MN104的漏极连接;
MP102的源极分别与恒流源I、MP101的源极和MP103的源极连接,其栅极分别与MP101的栅极、MP101的漏极和MN104的漏极连接,且其漏极分别与MP103的栅极、MN105的漏极以及MN106的漏极连接;
MP103的源极分别与恒流源I、MP101的源极和MP102的源极连接,其栅极分别与MN105的漏极、MN106的漏极以及MP102的漏极连接,且其漏极与MN103的漏极连接;
MN101的源极分别与MN102的源极和MN103的源极连接,其栅极分别与MN101的漏极、MN102的栅极、MN103的栅极以及恒流源I连接,且其漏极分别与恒流源I和MN101的栅极连接;
MN102的源极分别与MN101的源极和MN103的源极连接,其栅极分别与MN101的漏极、MN101的栅极、MN103的栅极以及恒流源I连接,且其漏极分别与MN104的源极、MN105的源极和MN106的源极连接;
MN103的源极分别与MN101的源极和MN102的源极连接,其栅极分别与MN101的漏极、MN101的栅极、MN102的栅极以及恒流源I连接,且其漏极与MP103的漏极连接,且其漏极为所述差分放大电路的输出端;
MN104的栅极为所述差分放大电路的反向输入端;
MN105的栅极为所述差分放大电路的第一同向输入端;
MN106的栅极为所述差分放大电路的第二同向输入端。
5.根据权利要求1所述的多输入放大器,其特征在于,对于所述差分放大电路的反向输入端为通过PMOS晶体管输入时,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分PMOS晶体管并联的一个PMOS晶体管。
6.根据权利要求5所述的多输入放大器,其特征在于,所述差分放大电路包括:PMOS晶体管MP201、PMOS晶体管MP202、PMOS晶体管MP203、PMOS晶体管MP204、PMOS晶体管MP205、PMOS晶体管MP206、NMOS晶体管MN201、NMOS晶体管MN202以及NMOS晶体管MN203;
MP201、MP202和MP203镜像连接;
MN201和MN202镜像连接。
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