[发明专利]一种多输入放大器及包括该放大器的双控制电路在审

专利信息
申请号: 201711451988.3 申请日: 2017-12-27
公开(公告)号: CN107888155A 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 陶冬毅 申请(专利权)人: 苏州菲达旭微电子有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 苏州华博知识产权代理有限公司32232 代理人: 黄丽莉
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 输入 放大器 包括 控制电路
【权利要求书】:

1.一种多输入放大器,包括:用于实现差分放大的差分放大电路,其特征在于,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分MOS晶体管并联的一个MOS晶体管。

2.根据权利要求1所述的多输入放大器,其特征在于,对于所述差分放大电路的反向输入端为通过NMOS晶体管输入时,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分NMOS晶体管并联的一个NMOS晶体管。

3.根据权利要求2所述的多输入放大器,其特征在于,所述差分放大电路包括:PMOS晶体管MP101、PMOS晶体管MP102、PMOS晶体管MP103、NMOS晶体管MN101、NMOS晶体管MN102、NMOS晶体管MN103、NMOS晶体管MN104、NMOS晶体管MN105以及NMOS晶体管MN106;

MP101和MP102镜像连接;

MN101、MN102和MN103镜像连接。

4.根据权利要求3所述的多输入放大器,其特征在于,

MP101的源极分别与恒流源I、MP102的源极和MP103的源极连接,其栅极分别与MP102的栅极、MP101的漏极和MN104的漏极连接,且其漏极还与MN104的漏极连接;

MP102的源极分别与恒流源I、MP101的源极和MP103的源极连接,其栅极分别与MP101的栅极、MP101的漏极和MN104的漏极连接,且其漏极分别与MP103的栅极、MN105的漏极以及MN106的漏极连接;

MP103的源极分别与恒流源I、MP101的源极和MP102的源极连接,其栅极分别与MN105的漏极、MN106的漏极以及MP102的漏极连接,且其漏极与MN103的漏极连接;

MN101的源极分别与MN102的源极和MN103的源极连接,其栅极分别与MN101的漏极、MN102的栅极、MN103的栅极以及恒流源I连接,且其漏极分别与恒流源I和MN101的栅极连接;

MN102的源极分别与MN101的源极和MN103的源极连接,其栅极分别与MN101的漏极、MN101的栅极、MN103的栅极以及恒流源I连接,且其漏极分别与MN104的源极、MN105的源极和MN106的源极连接;

MN103的源极分别与MN101的源极和MN102的源极连接,其栅极分别与MN101的漏极、MN101的栅极、MN102的栅极以及恒流源I连接,且其漏极与MP103的漏极连接,且其漏极为所述差分放大电路的输出端;

MN104的栅极为所述差分放大电路的反向输入端;

MN105的栅极为所述差分放大电路的第一同向输入端;

MN106的栅极为所述差分放大电路的第二同向输入端。

5.根据权利要求1所述的多输入放大器,其特征在于,对于所述差分放大电路的反向输入端为通过PMOS晶体管输入时,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分PMOS晶体管并联的一个PMOS晶体管。

6.根据权利要求5所述的多输入放大器,其特征在于,所述差分放大电路包括:PMOS晶体管MP201、PMOS晶体管MP202、PMOS晶体管MP203、PMOS晶体管MP204、PMOS晶体管MP205、PMOS晶体管MP206、NMOS晶体管MN201、NMOS晶体管MN202以及NMOS晶体管MN203;

MP201、MP202和MP203镜像连接;

MN201和MN202镜像连接。

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