[发明专利]载流子传输材料及其制备方法和QLED器件

权利要求书

1.一种载流子传输材料，其特征在于，所述载流子传输材料包括经烷氧基硅烷偶联剂修饰的金属氧化物半导体纳米晶，结构通式为：H₂NRSi(OM)₃，其中，M为所述金属氧化物半导体纳米晶，R为所述烷氧基硅烷偶联剂中的非烷氧基碳链。

2.如权利要求1所述的载流子传输材料，其特征在于，所述载流子传输材料为空穴传输材料，且所述金属氧化物半导体纳米晶选自MoO₃、WO₃、NiO、V₂O₅、CuO和CrO₃中的任意一种；或

所述载流子传输材料为电子传输材料，且所述金属氧化物半导体纳米晶选自ZnO、TiO₂、ZrO₂、HfO₂和Ta₂O₅中的任意一种。

3.如权利要求1所述的载流子传输材料，其特征在于，所述烷氧基硅烷偶联剂选自KH550和KH792中的一种；和/或

所述金属氧化物半导体纳米晶和所述烷氧基硅烷偶联剂的摩尔比为1:(1-3)。

4.一种载流子传输材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供金属氧化物半导体纳米晶和烷氧基硅烷偶联剂，所述烷氧基硅烷偶联剂的非烷氧基碳链末端含有氨基；

将所述金属氧化物半导体纳米晶和所述烷氧基硅烷偶联剂溶于溶剂中得混合溶液；

将所述混合溶液加热处理，使所述烷氧基硅烷偶联剂一端水解后通过Si-O-与所述金属氧化物半导体纳米晶连接，得到所述载流子传输材料；

其中，所述载流子传输材料的结构通式为：H₂NRSi(OM)₃，M为所述金属氧化物半导体纳米晶，R为所述烷氧基硅烷偶联剂中的非烷氧基碳链。

5.如权利要求4所述的载流子传输材料的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自水、甲醇、乙醇和丙醇中的至少一种；和/或

所述加热处理的温度为70-90℃；和/或

所述加热处理的时间为10-14h。

6.如权利要求4所述的载流子传输材料的制备方法，其特征在于，将所述金属氧化物半导体纳米晶和所述烷氧基硅烷偶联剂溶于溶剂中得混合溶液的步骤包括：

将所述金属氧化物半导体纳米晶溶于溶剂中，超声处理得到分散液；

将所述烷氧基硅烷偶联剂加入所述分散液中，得到所述混合溶液。

7.一种QLED器件，包括载流子传输层，其特征在于，所述载流子传输层由权利要求1-3任一项所述的载流子传输材料组成。

8.如权利要求7所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括量子点发光层，所述量子点发光层与所述载流子传输层层叠设置，且所述量子点发光层中的量子点表面连接有巯基配体。

9.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供底电极；

按权利要求4-6任一项所述的制备方法制备载流子传输材料，并将所述载流子传输材料沉积在所述底电极上得载流子传输层；

在所述载流子传输层上沉积量子点发光层；

在所述量子点发光层上沉积顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述载流子传输层为空穴传输层，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述载流子传输层为电子传输层，所述顶电极为阳极。

10.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上沉积量子点发光层；

按权利要求4-6任一项所述的制备方法制备载流子传输材料，并将所述载流子传输材料沉积在所述量子点发光层上得载流子传输层；

在所述载流子传输层上沉积顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述载流子传输层为电子传输层，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述载流子传输层为空穴传输层，所述顶电极为阳极。