[发明专利]一种实时观测调控碳化硅晶体生长过程中的温度的方法及其保温设备在审
| 申请号： | 201711448622.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108103576A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 高攀;忻隽;陈辉;刘学超;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;姚佳雯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶体 保温设备 石墨坩埚 碳化硅籽晶 生长过程 实时观测 保温桶 测温孔 凸起 调控 晶体生长界面 径向温度场 碳化硅原料 调整参数 晶体生长 实时调控 实时监测 低温区 高温区 突起 轴向 坩埚 制备 外部 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅晶体保温设备，其特征在于，
具有石墨坩埚，
碳化硅原料和碳化硅籽晶分别置于所述石墨坩埚的底部高温区和顶部低温区，
所述石墨坩埚外部采用保温桶覆盖，
所述保温桶中位于所述碳化硅籽晶顶部的部分具有凸起，
所述突起具有中心测温孔。
2.如权利要求1所述的碳化硅晶体保温设备，其特征在于，
所述中心测温孔直径大于15mm，小于所述碳化硅籽晶的直径。
3.如权利要求1所述的碳化硅晶体保温设备，其特征在于，
所述碳化硅籽晶固定于石墨盖，
所述石墨盖上部的所述突起的高度大于40mm，小于所述石墨盖到生长炉室顶部的高度。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的碳化硅晶体保温设备，其特征在于，
所述保温桶的材料为高纯度保温软毡，硬毡或者两者皆用。
5.一种采用上述权利要求1至4中任意一项所述的碳化硅晶体保温设备监测并调控碳化硅晶体生长过程中顶部温度的方法，其特征在于，
采用物理气相传输方法在籽晶表面沉积生长碳化硅单晶，
生长炉室顶部的超高温红外测温仪通过所述中心测温孔实时观测生长过程中所述石墨坩埚顶部温度的变化情况。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，
通过组合调节所述中心测温孔的直径、所述突起的高度及厚度来调控所述碳化硅晶体生长界面的轴向和径向温度场。
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