[发明专利]一种钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体，其特征在于，由钕铁硼基体合金和掺杂组分组成，所述掺杂组分为镓、铝纳米颗粒，所述镓纳米颗粒的掺杂量为钕铁硼基体合金重量的0.5％～2.5％，铝纳米颗粒的掺杂量为钕铁硼基体合金重量的0.03％～3.0％；所述钕铁硼基体合金的化学式为((PrNd)_1-mRE_m)_xFe_1-x-y-zM_yB_z，式中RE为Dy、Tb、Ho、Gd中的一种或几种的混合物，且Dy为必要元素，M为添加元素Nb、Cu、Mn、Zr、Ti、V中的一种或几种的混合物，且Nb为必要元素，0.05％≤m≤10％，26.68％≤x≤35.0％，0.05％≤y≤10％，1.0％≤z≤1.1％，各百分比均为重量百分比。

2.一种制备权利要求1所述的钕铁硼磁体的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)熔炼：采用熔炼工艺制得钕铁硼基体合金；

2)制粉：将制得的钕铁硼基体合金进行粗破碎，然后气流磨制成平均粒径为3～5μm的钕铁硼基体合金粉末；

3)掺杂和混料：将镓、铝纳米颗粒加入步骤2)所述的钕铁硼基体合金粉末中，并在混料机中混料2～5h；

4)压制成型：将均匀混合后的粉末在脉冲磁场中取向并压制成型，压制成毛坯后进行冷等静压；

5)烧结和回火：将冷等静压后的毛坯放入1000～1100℃的高真空烧结炉中烧结3～5h，烧结后进行回火、保温，随后通过气淬加风冷，冷却至70℃以下出炉。

3.根据权利要求2所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中的熔炼工艺是采用速凝甩带工艺制得钕铁硼基体合金薄片，或采用铸锭工艺制得钕铁硼基体合金铸锭。

4.根据权利要求3所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼基体合金薄片的厚度为0.2～0.5mm，所述钕铁硼基体合金铸锭的厚度小于等于27mm。

5.根据权利要求2所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中的粗破碎是将制得的钕铁硼基体合金通过破碎机破碎及球磨工艺或者氢破工艺破碎成60～100目的粉末颗粒。

6.根据权利要求2所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中镓、铝纳米颗粒的平均粒径为100～500nm。

7.根据权利要求2所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中的回火为一次回火，或者先进行一次回火、再进行二次回火，所述一次回火在850～950℃下进行，保温2.5～5h，二次回火在400～650℃下进行，保温2.5～5h。