[发明专利]一种薄膜的制备方法与QLED器件有效
| 申请号： | 201711448269.6 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109980097B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 方法 qled 器件 | ||
1.一种QLED器件，其特征在于，包括电子传输层，所述电子传输层为ZnO/TiO2核壳纳米颗粒组成的薄膜，所述薄膜的制备方法包括步骤：
将锌盐溶液与碱混合，进行反应，得到ZnO纳米颗粒；
将钛盐和所述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱，进行水解反应，形成前驱体溶液；
将所述前驱体溶液沉积成膜，并进行退火反应，得到ZnO/TiO2核壳纳米颗粒组成的薄膜。
2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述锌盐选自醋酸锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌或二水合乙酸锌；和/或所述钛盐选自四氯化钛、硝酸钛、硫酸钛或钛酸四丁酯。
3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述碱选自氨水、氢氧化钾、氢氧化纳、乙醇胺、乙二醇、二乙醇胺、三乙醇胺或乙二胺。
4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在将锌盐溶液与碱混合的步骤中，所述碱与所述锌盐的摩尔比为(1.8-2.5)：1。
5.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在进行反应，得到ZnO纳米颗粒的步骤中，所述反应的温度为50-70℃，反应的时间为2-4h。
6.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在将钛盐和所述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中的步骤中，所述ZnO纳米颗粒与所述钛盐的摩尔比为1：(0.05～0.1)。
7.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在将钛盐和所述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱的步骤中，所述碱与所述钛盐的摩尔比为(3.5-4.5)：1。
8.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在进行水解反应的步骤中，所述水解反应的温度为50-70℃，水解反应的时间为2-4h。
9.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述退火反应的温度为300～350℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
