[发明专利]一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体气体传感器，包括：由下往上依次层叠的微热盘（1）、绝缘隔离层（2）和敏感电极（3），以及覆盖在所述敏感电极（3）的上方的气体敏感材料（4），所述敏感电极（3）位于微热盘（1）表面的绝缘隔离层（2）上方，其特征在于，所述敏感电极（3）包括：第一敏感电极（31）、第二敏感电极（32）和悬置敏感电极（33）；

所述悬置敏感电极（33）位于所述第一敏感电极（31）和第二敏感电极（32）之间；所述第一敏感电极（31）和第二敏感电极（32）构成叉指电极结构或平行电极结构；所述悬置敏感电极（33）由均匀分布于叉指电极缝隙或均匀分布于平行电极缝隙的多个电极组成。

2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体气体传感器，其特征在于，所述悬置敏感电极（33）的沿电场方向的尺寸为1~20μm。

3.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体气体传感器，其特征在于，多个所述悬置敏感电极（33）在所述第一敏感电极（31）和第二敏感电极（32）之间均匀等距排列。

4.根据权利要求3所述的一种金属氧化物半导体气体传感器，其特征在于，所述第一敏感电极（31）、第二敏感电极（32）和悬置敏感电极（33）的材料选自铂、金和铱中的一种。

5.一种如权利要求1至4任一项所述的金属氧化物半导体气体传感器的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1、制作所述微热盘；

步骤2、在所述微热盘的表面沉积所述绝缘隔离层；

步骤3、在所述绝缘隔离层的表面沉积所述敏感电极，其中，所述敏感电极的敏感端位于所述微热盘的加热区域对应的表面处，所述敏感电极包括：第一敏感电极、第二敏感电极和悬置敏感电极，所述悬置敏感电极位于所述第一敏感电极和第二敏感电极之间；

步骤4、在所述敏感电极的上方沉积所述气体敏感材料。