[发明专利]QLED器件及其制备方法

说明书

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种QLED器件及其制备方法。该QLED器件包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有碳量子点缓冲层，所述碳量子点缓冲层由表面氨基化的碳量子点组成。该碳量子点缓冲层本身的电导率较高，可以有效提高空穴的迁移率，进而提高空穴的注入效率，有利于平衡量子发光层的电子和空穴，从而有效缓解电子注入远高于空穴注入的问题。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

在量子点发光二极管(QLED)和有机发光二极管(OLED)器件中，常将n型金属氧化物和有机材料分别作为电子传输层和空穴传输层来提高器件效率。氧化锌、二氧化钛等n型金属氧化物半导体的使用可以显著改善器件的电子注入。但由于Cd基量子点具有较深的价带能级，其对空穴注入具有一定的阻挡作用。此外，氧化锌、二氧化钛等电子传输材料的电子迁移率通常达到10^–3cm²V^–1S^–1的数量级，超过大多数的有机空穴传输材料的迁移率。因此，QLED器件中的载流子平衡问题显得尤为关键。

有研究通过使用空穴迁移率较高的p型金属氧化物半导体材料代替有机空穴传输材料，且p型金属氧化物半导体纳米晶的制备工艺也已较为成熟。但p型金属氧化物半导体作为电致发光器件的空穴传输层的应用相对于n型金属氧化物半导体仍是比较少见，这是由于现阶段的技术存在不足。

p型金属氧化物半导体作为空穴传输层的主要问题在于膜层的平整度以及与其他功能层的界面问题。由于采用溶液法制备的p型金属氧化物半导体纳米晶粒径较大，在制备的过程中容易出现团聚的现象，因此p型金属氧化物半导体纳米晶在沉积成膜时，所得的膜层表面平整度较差。凹凸不平的膜层在与其它相邻的功能层接触的界面处也会存在大量的缺陷，导致器件的性能和寿命受到影响。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有QLED器件中，电子注入远高于空穴注入的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种QLED器件，包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有碳量子点缓冲层，所述碳量子点缓冲层由表面氨基化的碳量子点组成。

本发明另一方面提供一种QLED器件的制备方法，包括如下步骤：

制备含有表面氨基化的碳量子点的溶液；

将所述溶液沉积在阳极或量子点发光层上得碳量子点缓冲层。

本发明提供的QLED器件，在阳极和量子点发光层之间设置有由表面氨基化的碳量子点组成的碳量子点缓冲层，碳材料本身电导率较高，可以有效提高空穴的迁移率，因此该碳量子点缓冲层可提高空穴的注入效率，有利于平衡QLED器件中量子点发光层内的电子和空穴，从而缓解电子注入远高于空穴注入的问题。

本发明提供的QLED器件的制备方法，工艺简单，在阳极和量子点发光层之间沉积一层由表面氨基化的碳量子点组成的碳量子点缓冲层，该碳量子点缓冲层可提高空穴的注入效率，有利于平衡QLED器件中量子点发光层内的电子和空穴，从而缓解电子注入远高于空穴注入的问题。

附图说明

图1为本发明实施例1的QLED结构示意图；

图2为本发明实施例2的QLED结构示意图；

图3为本发明实施例3的QLED结构示意图；

图4为本发明实施例4的QLED结构示意图。

具体实施方式