[发明专利]一种MWT太阳能电池电极的制备方法在审
申请号: | 201711445460.5 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108198873A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 李质磊;安欣睿;逯好峰;吴仕梁;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 南京日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 王艳丽 |
地址: | 211800 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电极孔 正极 制备 负极区 太阳能电池电极 负极 电池背面 电池负极 背面 电池性能 浆料制备 一次印刷 传统的 浆料 电池 保证 | ||
本发明公开了一种MWT太阳能电池电极的制备方法,包括:负极包括相连的电极孔区、电极孔区以外的负极区;其中电极孔区与电池背面正极制备分步进行,电极孔区以外的负极区与电极孔区或电池背面正极制备同时进行。本发明在电池负极和背面正极制备中,不采用传统的一次印刷完成,而是通过分步制备,这样使得在电池负极和背面正极在浆料选择上更加具有灵活性,可以根据工作中的实际要求如成本、性能等选择相应的浆料制备电池的正极、负极(包括电极孔区及电极孔区以外的负极区),在保证电池性能的基础上合理控制成本。
技术领域
本发明涉及硅太阳能电池工艺技术领域,具体涉及到一种MWT硅太阳能电池电极的制备方法。
背景技术
目前,晶体硅太阳能技术包括异质结太阳能电池(HIT),背电极接触硅太阳能电池(IBC),发射极环绕穿通硅太阳能电池(EWT),激光刻槽埋栅电池,倾斜蒸发金属接触硅太阳能电池(OECO)及金属穿孔卷绕硅太阳能电池(MWT)等,其中MWT电池因其效率高,遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。
MWT晶硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面收集的能量穿过电池转移至电池背面,以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的。
现有技术在制备MWT太阳能电池电极时,如申请号CN201410016190.6和专利CN201410844698.5均沿用传统电池电极的制备方法,采用特殊银或银铝浆料、丝网印刷的方式,同时制备正、负极(图1,其中103为电池片,102为正极,101为负极)。因在制备负极时需要兼顾堵住电池片的电极孔,所用浆料、网版规格和浆料用量等均有特殊要求。
发明内容
发明目的:为解决现有技术中的问题,本发明提供了一种MWT太阳能电池电极的制备方法,制备方法简单,浆料的选择更具灵活性。
技术方案:本发明所述的MWT太阳能电池电极的制备方法,包括:负极包括相连的电极孔区、电极孔区以外的负极区;其中电极孔区与电池背面正极制备分步进行,电极孔区以外的负极区与电极孔区或电池背面正极制备同时进行。
MWT电池的负极包括相连的电极孔区、电极孔区以外的负极区,电极孔区由浆料填充电极孔形成,电极孔内的浆料将正面栅线收集的载流子传输到背面电极孔区以外的负极区。电极孔区所需浆料量较多,要求浆料中银含量较高,以保证堵孔效果,而相对而言,正极(电池背面正极)所需浆料量较少,银含量也不需要那么高,现有技术两者制备同时进行一方面浪费银浆提高成本,同时也会带来正极和铝背场因重叠区厚度太厚带来可靠性、碎片率的问题,电极孔区与正极制备分步进行可以解决以上问题。
本发明中,第一种实施方案,MWT太阳能电池电极的制备方法包括:
(1)丝网印刷方式制备电池背面的正极;
(2)丝网印刷方式堵住电极孔同时印刷电极孔区以外的负极区从而制备成电池的负极。
本发明中,第二种实施方案,MWT太阳能电池电极的制备方法包括:
(1)丝网印刷方式堵住电极孔同时印刷电极孔区以外的负极区从而制备成电池的负极;
(2)丝网印刷方式制备电池背面的正极。
第一种和第二种方法中,处于成本考虑,负极制备可以采用堵孔银浆或银铝浆,正极制备可采用一般的背银浆料如银浆、银铝、铜浆或铝浆,具体如贺利氏SOL205D、贺利氏SOL205B、柏特瑞AGB-915D、儒兴RX61041F3等。正极丝网印刷的网版采用250目,线径30μm、沙厚57或60μm,总厚70μm规格的网版,负极丝网印刷的网版需要保证浆料印刷量,总厚75-80μm。
本发明中,第三种实施方案,MWT太阳能电池电极的制备方法包括:
(1)丝网印刷方式制备电池背面的正极和电极孔区以外的负极区,其中电极孔区以外的负极区开设有与电极孔连通的避让孔;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京日托光伏科技股份有限公司,未经南京日托光伏科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711445460.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的