[发明专利]一种封装薄膜及其制备方法、光电器件在审
申请号: | 201711443182.X | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN109980117A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 谢铭;曹蔚然 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装薄膜 陶瓷膜 惰性气体离子 复合薄膜 无机材料 有机材料 陶瓷膜表面 光电器件 注入层 溅射 制备 孔洞 致密 水氧阻隔性能 抗弯折性能 层叠设置 结合性能 改性 离子 | ||
本发明公开一种封装薄膜及其制备方法、光电器件,其中,所述封装薄膜,包括层叠设置的陶瓷膜和复合薄膜。本发明采用溅射与离子注入相结合的方法,通过注入高能的惰性气体离子可以将溅射在陶瓷膜表面的有机材料和无机材料一同注入到陶瓷膜内部,形成有机无机混合注入层,当注入层足够致密时则形成复合薄膜;由于高能惰性气体离子和有机材料以及无机材料的注入,使得陶瓷膜内部的孔洞减少,并有效增强了陶瓷膜与复合薄膜之间的结合性能,使得封装薄膜的水氧阻隔性能得到明显提升;同时由于高能惰性气体离子和有机材料以及无机材料的注入使得陶瓷膜表面改性,明显增强了封装薄膜的抗弯折性能。
技术领域
本发明涉及器件封装技术领域,尤其涉及一种封装薄膜及其制备方法、光电器件。
背景技术
OLED光电器件对空气中的水气与氧气敏感,易与水气、氧气发生反应,影响发光性能,需对其进行封装处理。常采用的封装技术包括盖板封装技术与薄膜封装技术,其中薄膜封装技术为当下主流技术。
薄膜封装技术较为成熟的是Barix多层薄膜封装技术,但目前工艺上制备的无机阻水阻氧封装层,由于材料的本征内聚应力使得薄膜的晶界处易出现孔洞,外界的水气、氧气易通过这些无机层上的孔洞渗透到有机层进而影响OLED光电器件的发光层性能。
虽然,后续对Barix多层薄膜封装进行改进,不仅减少了薄膜层数,并且优化了薄膜工艺。例如:运用等离子体增强化学的气相沉积法和喷涂技术制备了无机氮化硅层、有机丙烯酸脂和无机氮化硅层将封装薄膜继续缩短为三层,使用有机物来覆盖无机薄膜层上的孔洞,使得薄膜的封装性能大大提升且增加了器件的使用寿命。然而,由于上述封装方法所制备的封装膜层间具有明显的界面,层间结合性能不好,导致其抗弯折性以及疏水性较差,无法满足柔性显示器件封装技术要求。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种封装薄膜及其制备方法、光电器件,旨在解决现有封装薄膜的抗弯折性能和水氧阻隔性能均较差的问题。
本发明的技术方案如下:
一种封装薄膜,其中,包括层叠设置的陶瓷膜和复合薄膜,所述复合薄膜由无机材料、有机材料和惰性气体离子组成,在所述陶瓷膜和复合薄膜界面处的陶瓷膜表面掺杂有所述无机材料、有机材料和惰性气体离子并形成混合注入层。
所述的封装薄膜,其中,所述陶瓷膜包括陶瓷材料,所述陶瓷材料为氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化锌、氧化钛、氧化钨、氮化钛和氮化钽中的一种或多种。
所述的封装薄膜,其中,所述陶瓷膜的厚度为50-150nm。
所述的封装薄膜,其中,所述有机材料为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯和丙烯酸中的一种或多种。
所述的封装薄膜,其中,所述惰性气体离子为氩气离子、氦气离子、氖气离子、氪气离子和氙气离子中的一种或多种。
所述的封装薄膜,其中,所述复合薄膜的厚度为150-300nm。
一种封装薄膜的制备方法,其中,包括步骤:
提供待封装器件,在所述器件表面沉积陶瓷膜;
在所述陶瓷膜表面注入无机材料、有机材料和惰性气体离子,形成混合注入层,持续注入,在所述混合注入层表面生成复合薄膜。
所述的封装薄膜的制备方法,其中,所述在所述陶瓷膜表面注入无机材料、有机材料和惰性气体离子,形成混合注入层,持续注入,在所述混合注入层表面生成复合薄膜包括如下步骤:
在真空腔体中,将有机材料、无机材料和惰性气体离子同步均匀地注入到所述陶瓷膜表面,形成混合注入层和复合薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择