[发明专利]一种金属网格电容式触摸屏的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及触摸屏的领域，特别是涉及一种金属网格电容式触摸屏的制备方法。

背景技术

随着现代触控技术的进步，触摸屏应用范围不断扩大，手机、平板电脑中触控功能几近成为标准配置；在笔记本电脑、超极本、一体机中，具备触控功能的产品占有市场份额也不断扩大；从触摸屏产业的角度看，触摸屏低成本、提高量产性是未来发展的方向；而对于普通消费者，触摸屏的轻薄性、高透过性则会得到更多关注；随着触控技术的发展，传统的电阻式触摸屏逐步被更轻薄、触控性能更佳的电容式触摸屏技术所取代；在诸多电容式触摸屏结构中，以OGS及TOL结构的触摸屏轻薄性、透过率最佳；对于已有OGS及TOL工艺，业界通常使用单层ITO或ITO垮桥结构来形成触摸电极结构，工艺上需要使用真空溅射设备沉积ITO薄膜，然后使用黄光制程形成图形，对于垮桥结构还需在垮桥下制作透明绝缘层材料；无论是哪种结构，都需要昂贵的真空溅射工艺沉积ITO透明导电膜层及ITO消隐层；为了降低成本，业界已经开始尝试使用金属网格及金属纳米线透明导电膜来替代ITO透明导电层，金属纳米线透明导电膜在面阻较低的时候雾度会显著增大，因此限制其应用，而金属网格(metal mesh)因为使用极低阻抗的金属材料形成电极，因此可以实现触控电极的细线化。

目前业界有多种metal mesh技术：广泛被采用的有两种，一种是Cu金属metal mesh(Atmel，3M等)，另一种是卤化银纳米颗粒metal mesh(Fujifilm)，均将metal mesh电极做在PET薄膜上，然后使用OCA贴膜工艺将PET透明导电膜贴合在玻璃盖板之上，形成GFF或GF2结构的电容式触摸屏结构，此种制程不仅由于贴合的良率问题增加成本，还因为贴附PET膜而增加了触摸屏的厚度，不利于产品轻薄化和提升产品透过率。

发明内容

本发明提供了一种金属网格电容式触摸屏的制备方法，避免使用成本高昂的溅射氧化铟锡透明导电层及氧化铟锡图形消隐层所需要的真空溅射设备，大幅降低成本；同时利用金属网格低阻抗特性，将触控电极及周边引线同时制作完成，简化结构及制程，降低成本；由于本发明简化掉边框(BM)的结构，因此可以制作无边框触摸屏。

一种金属网格电容式触摸屏的制备方法，具体方法是按以下步骤进行的：一、在钢化玻璃盖板上涂布光阻材料层；二、在光阻材料料层上曝光显影去除部分光阻材料层，形成金属网格电极所需的光阻图形；三、使用刻蚀液通过湿法刻蚀工艺在玻璃上刻蚀出与金属网格电极图形对应的预留凹槽；四、去除剩余的光阻材料层；五、将导电银浆刮涂入刻蚀的预留凹槽中，进行低温固化，形成金属网格触控电极及周边引线；即完成金属网格电容式触摸屏的制备。

所述步骤三中的湿法刻蚀工艺为spray刻蚀工艺或dip刻蚀工艺。

所述步骤三中的刻蚀液为氢氟酸刻蚀液。

所述步骤三中的预备留凹槽的宽度为2-10μm。

所述步骤三中的预备留凹槽的宽度为3-4μm。

所述步骤五的导电银浆为纳米银低温固化银浆材料。

所述步骤五中的低温固化的温度为80-200℃；固化的时间为10-120min。

所述步骤五中的低温固化的温度为120℃，固化的时间为60min。

所述步骤五中制备完成的金属网格电容式触摸屏，在其表面涂布透明保护层，用于对绑定区之外的金属网格电极及周边引线保护。

本发明的优点：本发明的一种金属网格电容式触摸屏的制备方法，避免使用成本高昂的氧化铟锡(ITO)材料及溅射氧化铟锡透明导电层所需的真空镀膜设备；同时利用金属网格(metal mesh)低阻抗特性，将触控电极及周边引线同时制作完成，同时相对与GFF及GF2结构metal mesh，简化了结构及制程，节省了使用OCA将金属纳米线PET透明导电膜贴合在玻璃盖板之上的工艺，避免了由于贴合的良率问题所增加的成本，有利于实现触控产品的轻薄化和高透过率；由于简化掉边框(BM)的结构，因此可以制作无边框触摸屏。

附图说明

图1为一种金属网格电容式触摸屏的制备方法的流程的示意图。

具体实施方式

为了加深对本发明的理解，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步详细描述，该实施例仅用于解释本发明，并不对本发明的保护范围构成限定。

实施例一