[发明专利]一种底层为有机-无机杂化薄膜的双层宽频增透膜

权利要求书

1.一种底层为有机-无机杂化薄膜的双层宽频增透膜的制备方法，其特征在于：双层宽频增透膜的底层和表层均为有机-无机杂化薄膜，底层为苯基三乙氧基硅烷/正硅酸乙酯杂化薄膜；表层为乙烯基三乙氧基硅烷/正硅酸乙酯杂化薄膜；具体制备方法为：将玻璃基片浸入苯基三乙氧基硅烷/正硅酸乙酯杂化溶胶中，以一定的提拉速度镀膜，在玻璃基片表面镀上底层；将镀有底层的玻璃基片浸入乙烯基三乙氧基硅烷/正硅酸乙酯杂化溶胶中，以一定的提拉速度镀膜，制得镀有底层和表层的双层增透膜，并对其进行热处理；所述的苯基三乙氧基硅烷/正硅酸乙酯杂化溶胶的制备方法为：将苯基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、无水乙醇、氨水、水按质量比1-10:5-20:50-300:0.5-2:0-5依次加入至反应容器中，密闭的条件下于20-60 ℃下搅拌反应0.5-5 h，然后于室温条件下陈化3-20天，制得溶胶；所述的乙烯基三乙氧基硅烷/正硅酸乙酯杂化溶胶的制备方法为：将乙烯基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、无水乙醇、氨水、水按质量比1-10:5-20:50-300:0.5-2:0-5依次加入至反应容器中，密闭的条件下于20-60 ℃下搅拌反应0.5-5 h，然后于室温条件下陈化3-20天，制得溶胶。

2.如权利要求1所述的底层为有机-无机杂化薄膜的双层宽频增透膜的制备方法，其特征在于：所述的提拉速度为50-400 mm/min。

3.如权利要求1所述的底层为有机-无机杂化薄膜的双层宽频增透膜的制备方法，其特征在于：所述的热处理其温度为60-150 ℃。

4.如权利要求1所述的底层为有机-无机杂化薄膜的双层宽频增透膜的制备方法，其特征在于：所述的热处理其时间为1-24 h。