[发明专利]一种窄带物联网通讯系统在审
申请号: | 201711442290.5 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN107995316A | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 王毅;熊争;蒋国斌 | 申请(专利权)人: | 北京泰豪智能工程有限公司 |
主分类号: | H04L29/08 | 分类号: | H04L29/08;H04W4/70;H04B1/40 |
代理公司: | 北京快易权知识产权代理有限公司11660 | 代理人: | 赵秀英 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 窄带 联网 通讯 系统 | ||
1.一种窄带物联网通讯系统,其特征在于,该系统包括控制MCU、以及分别连接所述控制MCU的晶体管数据传输模块、通讯模块、电源模块、信号显示模块和数据缓存模块,所述晶体管数据传输模块由晶体管以及相应的匹配电阻组成,用于和控制MCU进行数据交互,所述通讯模块由时钟信号线、数据通讯接口和数据通讯基带组成,用于在控制MCU的控制下进行窄带物联网通讯,所述电源模块用于为整个通讯电路供电,所述信号显示模块由控制晶体管、匹配电阻和发光二极管组成,用于根据相应的工况及通讯状态并在控制MCU的控制下进行相应的显示,所述数据缓存模块用于网络通讯受阻时,缓存控制MCU发送过来的数据。
2.根据权利要求1所述的窄带物联网通讯系统,其特征在于,所述电源模块包括总电源模块电路和窄带通讯基带电源模块电路,其中:
所述总电源模块电路包括稳压模块U4、滤波电容C12、滤波电容C13、滤波电感L1、匹配电阻R20、匹配电阻R21、防电源反接二极管D5和保护肖特基二极管D6,所述稳压模块U4的第1端口OUT连接滤波电感L1的一端,所述滤波电感L1的另一端分别连接第一高电平端VCC和滤波电容C13的一端,并且滤波电感L1的另一端通过串联的匹配电阻R20和匹配电阻R21接地,滤波电容C13的另一端接地,稳压模块U4的第3端口INH和第7端口GND共同接地,稳压模块U4的第5端口FB连接匹配电阻R20和匹配电阻R21的公共串接端,稳压模块U4的第8端口VCC通过防电源反接二极管D5连接电源,并且在稳压模块U4的第8端口VCC通过滤波电容C12接地;
所述窄带通讯基带电源模块电路包括稳压模块U7、滤波电容C19-C21和匹配电阻R29,所述稳压模块U7的第1端口VIN连接第二高电平端VCC,稳压模块U7的第2端口GND接地并与第1端口VIN之间连接有滤波电容C19,稳压模块U7的第3端口EN通过匹配电阻R29接地,稳压模块U7的第5端口VOUT连接第三高电平端VCC,并且稳压模块U7的第5端口VOUT通过并联的滤波电容C20和滤波电容C21接地。
3.根据权利要求2所述的窄带物联网通讯系统,其特征在于,所述稳压模块U4采用L5973D芯片,所述稳压模块U7采用RT9193-33PU5芯片。
4.根据权利要求1所述的窄带物联网通讯系统,其特征在于,所述通讯模块采用低功耗的NB-IoT无线通信模块芯片。
5.根据权利要求1所述的窄带物联网通讯系统,其特征在于,所述晶体管数据传输模块包括晶体管Q11、晶体管Q12、匹配电阻R22-R27,所述晶体管Q11的基极通过电阻R22连接高电平端VDD EXT,晶体管Q11的基极与发射极之间连接电阻R23,晶体管Q11的集电极通过电阻R24连接控制MCU,所述晶体管Q12的基极通过电阻R26连接高电平端VDD EXT,晶体管Q11的集电极通过电阻R27连接高电平端VDD EXT,晶体管Q11的发射极通过电阻R25连接控制MCU。
6.根据权利要求1所述的窄带物联网通讯系统,其特征在于,所述信号显示模块包括控制晶体管Q1-Q3、匹配电阻R4-R13、发光二极管D1-D4,所述控制晶体管Q1的集电极依次连接发光二极管D1、匹配电阻R4和第四高电平端VCC,控制晶体管Q1的发射极接地,控制晶体管Q1的基极通过匹配电阻R5连接第一GPIO端口,控制晶体管Q1的基极通过匹配电阻R6接地,所述控制晶体管Q2的集电极依次连接发光二极管D2、匹配电阻R7和第五高电平端VCC,控制晶体管Q1的发射极接地,控制晶体管Q1的基极通过匹配电阻R8连接第二GPIO端口,控制晶体管Q1的基极通过匹配电阻R9接地,所述控制晶体管Q3的集电极依次连接发光二极管D3、匹配电阻R10和第六高电平端VCC,控制晶体管Q1的发射极接地,控制晶体管Q1的基极通过匹配电阻R11连接第三GPIO端口,控制晶体管Q1的基极通过匹配电阻R12接地,所述发光二极管D4的一端连接低电平,另一端通过电阻R13连接第七高电平端VCC。
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