[发明专利]一种保护层形态变化式碳化硅制备方法

权利要求书

1.一种保护层形态变化式碳化硅制备方法，其特征在于，步骤如下：

S1、将碳源和硅源送入到破碎机中进行破碎，使碳源和硅源呈颗粒状结构；

S2、将呈颗粒状结构的碳源和硅源进行充分混合，使碳源和硅源混合均匀；

S3、将混合均匀的碳源和硅源进行平铺在加热炉内，然后在碳源和硅源混合物的上面均匀洒上聚四氟乙烯粉料；

S4、加热炉开始加热，聚四氟乙烯粉料随着加热温度的升高达到费点逐步气化，使碳源和硅源混合物在气态聚四氟乙烯的环境中进行高温反应，生成碳化硅；

S5、高温反应完毕以后停止加热，使加热炉内部进行散热降温，聚四氟乙烯由气态开始逐步变为液态最终呈现固态并且均匀嵌入在碳化硅内部和表面上。

2.根据权利要求1所述的保护层形态变化式碳化硅制备方法，其特征在于，所述的步骤S1中碳源为石墨；硅源为硅石。

3.根据权利要求1所述的保护层形态变化式碳化硅制备方法，其特征在于，所述的步骤S1中碳源和硅源送入到破碎机中破碎的时间为20至30min。

4.根据权利要求1所述的保护层形态变化式碳化硅制备方法，其特征在于，所述的步骤S2中将碳源和硅源送入到搅拌机中进行搅拌；控制搅拌时间为30至40min；转速为100至130r/min。

5.根据权利要求1所述的保护层形态变化式碳化硅制备方法，其特征在于，所述的步骤S3中碳源和硅源的混合物与聚四氟乙烯粉料重量比为5:2至5:4。

6.根据权利要求1所述的保护层形态变化式碳化硅制备方法，其特征在于，所述的步骤S4中采用梯级升温；第一阶段将温度控制在450摄氏度至550摄氏度，使聚四氟乙烯粉料达到费点然后逐步转化为气态，同时对碳源和硅源进行预热；第二阶段将温度控制在1500至1600摄氏度，为碳源和硅源的反应提供温度条件。

7.根据权利要求6所述的保护层形态变化式碳化硅制备方法，其特征在于，所述的第一阶段维持时间为30至40min；第二阶段维持时间为2.5至3h。

8.根据权利要求1所述的保护层形态变化式碳化硅制备方法，其特征在于，所述的步骤S5中可以在加热炉外侧设置夹套，通过在夹套内通入循环的导热油进行冷却。