[发明专利]降低晶圆空洞缺陷的设备以及方法在审

专利信息
申请号: 201711438511.1 申请日: 2017-12-27
公开(公告)号: CN108118377A 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;薛超;马亚辉 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: C25D7/12 分类号: C25D7/12;C25D17/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 周阳君
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶圆 机台 电解溶液 金属阳极 腔体 开口 体内 空洞缺陷 电镀 表面处 液面 填充 垂直 接纳 申请
【权利要求书】:

1.一种用于电镀晶圆的机台,包括

腔体,在所述腔体的表面处设置有开口,所述开口用于接纳所述晶圆以提供到所述腔体内,在所述腔体内设置有金属阳极并且能够被填充有电解溶液,

其中所述金属阳极的工作表面与所述电解溶液的液面基本上垂直。

2.根据权利要求1所述的机台,其中所述晶圆被提供到所述腔体内以与所述金属阳极相对放置。

3.根据权利要求1所述的机台,其中在被浸入到所述电解溶液时所述晶圆与所述电解溶液的液面呈一夹角。

4.根据权利要求1所述的机台,其中所述夹角为30度至120度。

5.根据权利要求1所述的机台,其中所述晶圆的待电镀表面与所述电解溶液接触,并且所述晶圆的非电镀表面与所述电解溶液隔离。

6.根据权利要求1所述的机台,所述腔体还包括阳离子交换膜以及高电阻虚拟阳极HRVA,所述金属阳极、所述阳离子交换膜以及所述高电阻虚拟阳极HRVA基本上相互平行。

7.根据权利要求5所述的机台,其中所述高电阻虚拟阳极HRVA的电阻远大于所述晶圆的电阻。

8.根据权利要求1所述的机台,其中在电镀过程中,所述晶圆以递增的速度等级在所述腔体内旋转。

9.一种用于电镀晶圆的方法,包括:

将所述晶圆通过机台的表面处的开口提供到所述机台的腔体内,所述腔体内设置有金属阳极以及电解溶液,所述腔体内设置有金属阳极并且能够被填充有电解溶液,其中所述机台被设置使得所述机台内的所述金属阳极的工作表面与所述电解溶液的液面基本上垂直。

10.根据权利要求9所述的电镀晶圆的方法,其中所述晶圆被提供到所述腔体内以与所述金属阳极相对放置。

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