[发明专利]一种新型半导体线路制作工艺

说明书

本发明公开了一种新型半导体线路制作工艺，包括如下步骤：S1、表面清洗：晶圆表面附着着一层大约2微米的AL302和甘油混合保护液，在制作前必须进行化学蚀刻和表面清洗，有热氧化法生成SI02缓冲层减小后续中si3n4对晶圆的应力；S2、NPCVD：NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉反应后的气体回收装置等所构成，其中中心部分为反应炉；S3、涂敷光刻胶：光刻制造过程中，往往需采用20‑30道光刻工序，将IC做到半导体上是因为，半导体的特性，在现有的工艺条件下，可以实现电路的微小型，低功耗和高可靠度，具有很好的推广价值。

技术领域

本发明涉及电路封装工艺，更具体地说，尤其涉及一种新型半导体线路制作工艺。

背景技术

半导体集成电路，是指在一个半导体衬底上至少有一个电路块的半导体集成电路装置，半导体集成电路是将晶体管，二极管等等有源元件和电阻器，电容器等无源元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能。

已知镶嵌技术中于包括导电层的基底上依序形成介电层结构与金属硬掩模，随后图案化金属硬掩模形成开口，再进行蚀刻工艺，通过开口向下蚀刻介电层结构而形成镶嵌导线的沟槽图案或介层洞图案。值得注意的是，在形成开口或者是在蚀刻工艺中常有掉落微粒等污染物产生。掉落微粒因为受到本身以及金属硬掩模之间产生的范德华力吸引，而附着于金属硬掩模上，或被吸引在金属硬掩模周围。被吸引的掉落微粒即使利用清洗工艺也无法轻易地将掉落微粒移除，且掉落微粒的存在阻碍了后续蚀刻工艺的进行，甚至造成蚀刻后的沟槽开口图案缩小、或不完整等问题。更导致后续形成于沟槽开口内的金属发生断线等缺陷，降低了金属内连线的可靠度。为此，我们提出一种新型半导体线路制作工艺。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种新型半导体线路制作工艺，减少产品报废率的更高效的电路板拼板方式及连接器的焊接工艺。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种新型半导体线路制作工艺，包括如下步骤：

S1、表面清洗：晶圆表面附着着一层大约2微米的AL302和甘油混合保护液，在制作前必须进行化学蚀刻和表面清洗，有热氧化法生成SI02缓冲层减小后续中si3n4对晶圆的应力；

S2、NPCVD：NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉反应后的气体回收装置等所构成，其中中心部分为反应炉；

S3、涂敷光刻胶：光刻制造过程中，往往需采用20-30道光刻工序，现在技术主要采有紫外线为光源的光刻技术。光刻工序包括翻版图形掩膜制造，硅基片表面光刻胶的涂敷、预烘、曝光、显影、后烘、腐蚀、以及光刻胶去除等工序；

S4、显影：将显影液全面地喷在光刻胶上，或将曝光后的样片浸在显影液中几十秒钟，则正型光刻胶的曝光部分或负胶的未曝光部分被溶解。显影后的图形精度受显影液的浓度，温度以及显影的时间等影响。显影后用纯水清洗；

S5、腐蚀：经过上述工序后，以复制到光刻胶上的集成电路的图形作为掩模，对下层的材料进行腐蚀。腐蚀技术是利用化学腐蚀法把材料的某一部分去除的技术。腐蚀技术分为两大类：湿法腐蚀—进行腐蚀的化学物质是溶液；干法腐蚀一般称刻蚀进行的化学物质是气体；

S6、光刻胶的去除：经腐蚀完成图形复制以后，再用剥离液去除光刻胶，完成整个光刻工序，可以用无机溶液如硫酸或干式臭氧烧除法将光阻去除；