[发明专利]一种连接探针、其制备方法及在微电极阵列连接中的用途有效
| 申请号： | 201711437753.9 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108175937B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 孙滨;吴天准;夏凯;付博文 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | A61N1/36 | 分类号： | A61N1/36;A61N1/05 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 连接 探针 制备 方法 微电极 阵列 中的 用途 | ||
1.一种连接探针，其特征在于，所述连接探针包括基底以及位于所述基底上且间隔设置的阵列单元，所述阵列单元包括由下到上的金属种子层和金属镀层；
所述阵列单元的间隔区域具有光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的连接探针，其特征在于，所述光刻胶层优选为AZ4620光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的连接探针，其特征在于，所述光刻胶层的厚度小于所述阵列单元的厚度。
4.根据权利要求1所述的连接探针，其特征在于，所述阵列单元上设置有连接柱。
5.根据权利要求4所述的连接探针，其特征在于，所述连接柱为绝缘柱。
6.根据权利要求5所述的连接探针，其特征在于，所述连接柱为光刻胶柱。
7.根据权利要求6所述的连接探针，其特征在于，所述连接柱为SU-8光刻胶柱。
8.根据权利要求4所述的连接探针，其特征在于，所述连接柱的直径为50μm～150μm。
9.根据权利要求4所述的连接探针，其特征在于，所述连接柱的厚度为20μm～120μm。
10.根据权利要求9所述的连接探针，其特征在于，所述连接柱的厚度为80μm。
11.根据权利要求4所述的连接探针，其特征在于，所述连接柱的个数为至少两个，且成阵列状。
12.根据权利要求1所述的连接探针，其特征在于，所述基底包括硅片、氧化硅片或玻璃片中的任意一种。
13.根据权利要求1所述的连接探针，其特征在于，所述金属种子层为：由下到上的第一金属种子层和第二金属种子层构成的复合层。
14.根据权利要求13所述的连接探针，其特征在于，所述第一金属种子层为Cr层或Ti层中的任意一种或两种的组合。
15.根据权利要求13所述的连接探针，其特征在于，所述第一金属种子层的厚度为10nm～30nm。
16.根据权利要求15所述的连接探针，其特征在于，所述第一金属种子层的厚度为20nm。
17.根据权利要求13所述的连接探针，其特征在于，所述第二金属种子层为Au层、Cu层或Pt层中的任意一种或至少两种的组合。
18.根据权利要求13所述的连接探针，其特征在于，所述第二金属种子层的厚度为60nm～150nm。
19.根据权利要求18所述的连接探针，其特征在于，所述第二金属种子层的厚度为100nm。
20.根据权利要求1所述的连接探针，其特征在于，所述金属镀层的材质为Cu、Au或Pt中的任意一种。
21.根据权利要求1所述的连接探针，其特征在于，所述金属镀层的厚度为7μm～8μm。
22.如权利要求1所述的连接探针的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
先在基底上形成间隔排列的金属种子层，再在金属种子层上形成金属镀层，所述金属种子层和金属镀层构成阵列单元，从而形成间隔设置的阵列单元，得到连接探针。
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