[发明专利]一种主动降温复合瓦及其制作方法

权利要求书

1.一种主动降温复合瓦，包括复合瓦(1)、热电基底(2)，其特征在于，其中热电基底(2)包括上导电层(21)、Bi膜层(22)、Te膜层(23)、下导电层(24)、上导电引线(25)、下导电引线(26)：

所述复合瓦(1)下表面设置有热电基底(2)，热电基底(2)顶部为涂敷在复合瓦(1)下表面的上导电层(21)，上导电层(21)下方设置有Bi膜层(22)和Te膜层(23)，Bi膜层(22)和Te膜层(23)交替排布，且以Bi膜层(22)作为最底层，最底层的Bi膜层(22)下方设置有下导电层(24)；所述上导电层(21)和下导电层(24)分别从左侧引出上导电引线(25)和下导电引线(26)。

2.根据权利要求1所述的一种主动降温复合瓦，其特征在于，所述上导电层(21)和所述下导电层(24)为铂铑合金层，厚度为4-6微米。

3.根据权利要求1所述的一种主动降温复合瓦，其特征在于，所述热电基底(2)内包含五层Bi膜层(22)和四层Te膜层(23)。

4.根据权利要求1所述的一种主动降温复合瓦，其特征在于，所述Bi膜层(22)厚度为10-20微米，Bi膜层(22)是通过磁控溅射生长形成，生长条件为真空度10^-6Pa，氩气通入流量为0.4-0.8mL/分钟，磁控溅射时间7分钟，直流电源供电，功率10W。

5.根据权利要求1所述的一种主动降温复合瓦，其特征在于，所述Te膜层(23)厚度为40微米，Te膜层(23)是通过磁控溅射生长形成，生长条件为真空度10^-6Pa，氩气通入流量为0.4-0.8mL/分钟，磁控溅射时间10-15分钟，射频电源供电，功率25W。

6.一种主动降温复合瓦的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、用清水将复合瓦(1)表面清洗干净，将清洗好的复合瓦(1)放入真空干燥箱，80℃真空干燥，得到干燥的复合瓦(1)；

步骤二、在干燥的复合瓦(1)下表面涂敷铂铑合金溶液，并放入鼓风干燥箱100℃烘烤，使铂铑合金溶液内黏合剂挥发，铂铑合金层粘附在复合瓦(1)的下表面，形成上导电层(21)；

步骤三、将干燥的复合瓦(1)放入磁控溅射沉淀室内，复合瓦(1)下表面朝向靶材位，将Bi锭和Te锭放入磁控溅射内的靶材位上；

步骤四、开启磁控溅射真空系统，沉淀室内空气被抽出，真空度设置为10^-6Pa，通入气流量0.4-0.8mL/分钟的氩气，开启RF电源5分钟，清洗复合瓦(1)下表面；溅射Bi、Te单质分别使用直流电源和射频电源，功率分别为10W和25W，内层Bi、Te对应的溅射时间分别为5-10分钟和10-15分钟，完成Bi膜层和Te膜层在复合瓦(1)下表面的生长；

步骤五、取出复合瓦(1)，在最底层的Bi膜层(22)上涂敷铂铑合金溶液，并放入烤箱100℃烘烤，使铂铑合金溶液内黏合剂挥发，铂铑合金层粘附在最底层的Bi膜层(22)上，形成下导电层(24)；

步骤六、分别用导线连接上导电层(21)和下导电层(24)，形成上导电引线(25)和下导电引线(26)，得到主动降温复合瓦。