[发明专利]场效应半导体构件及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应构件(100)，其包括半导体主体(40)，所述半导体主体在边缘区域(120)从背面(102)延伸至所述半导体主体(40)的表面(101)，并且所述半导体主体包括半导体台面(20)，所述半导体台面以垂直于所述背面(102)和/或所述表面(101)的竖直的方向延伸至安置在所述表面(101)之上的一个高度(h_M)处的半导体台面顶侧(103)，其中，所述半导体主体(40)在竖直的横截面中还包括：

-漂移区(1)，所述漂移区至少在所述边缘区域中延伸至所述表面(101)并且部分地安置在所述半导体台面(20)之中；以及

-至少部分地安置在所述半导体台面(20)之中的主体区(2)，所述主体区与所述漂移区(1)形成第一pn结(14)，所述第一pn结在所述半导体台面(20)的两个侧壁(21)之间延伸，其中，所述第一pn结(14)在水平方向上离所述半导体台面顶侧(103)的垂直距离(d)会变化并且在由两个侧壁(21)隔开的中央区域(2c)中采用最大的值(d₁)。

2.根据权利要求1所述的场效应构件(100)，其中，所述最大的值(d₁)至少为所述高度(h_M)的70％，和/或其中，所述最大的值(d₁)小于所述高度(h_M)的200％。

3.根据前述权利要求中任一项所述的场效应构件(100)，其中，所述主体区(2)具有安置在所述中央区域(2c)中的第二部分区域(2b)，所述第二部分区域与所述漂移区(1)形成所述第一pn结(14)的一部分并且具有比与所述第二部分区域(2b)相邻的第一部分区域(2a)更高的最大掺杂浓度。

4.根据权利要求1或2所述的场效应构件(100)，其中，所述第一pn结(14)在所述竖直的横截面中关于竖直的轴是镜像对称或者不对称。

5.根据权利要求3所述的场效应构件(100)，其中，所述半导体台面(20)在所述竖直的横截面中具有另一个安置在所述主体区(2)上的源区(3)，所述源区与所述主体区(2)形成第二pn结(15)。

6.根据权利要求5所述的场效应构件(100)，在所述竖直的横截面之中还包括安置在多个侧壁(21)中的至少一个上的栅极介电区域(30、33)、安置在所述栅极介电区域(33)上的栅极(12)、安置在所述半导体主体(40)上的与所述主体区(2)和所述源区(3)欧姆式接触的源金属层(10)和/或安置在所述背面(102)上的与所述漂移区(1)欧姆式接触的漏金属层(11)。

7.根据权利要求6所述的场效应构件(100)，其中，所述源金属层(10)和所述栅极(12)安置在所述表面(101)之上。

8.根据权利要求6或7所述的场效应构件(100)，其中，所述半导体主体(40)还包括在所述背面(102)和所述表面(101)之间延伸的侧面(41)和至少一个边缘闭合结构(12b)，所述边缘闭合结构在顶视图中安置在所述半导体台面(20)和所述侧面(41)之间。

9.根据权利要求6或7所述的场效应构件(100)，还包括平的沟道(51)，所述沟道在所述中央区域(2c)中从所述半导体台面顶侧(103)延伸入所述主体区(2)和/或延伸至所述主体区(2)的所述第一部分区域(2a)。

10.根据权利要求1或2所述的场效应构件(100)，其中，所述半导体主体(40)在激活的区域(110)具有多个半导体台面(20)。

11.根据权利要求10所述的场效应构件(100)，在所述激活的区域(110)中还包括温度传感器、电流传感器和/或栅极指。